S5D M6G ფასები (აშშ დოლარი) [574243ცალი საფონდო]
- 1 pcs$0.06441
- Ნაწილი ნომერი:
- S5D M6G
- მწარმოებელი:
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Დეტალური აღწერა:
- DIODE GEN PURP 200V 5A DO214AB.
- Manufacturer's standard lead time:
- Საწყობში
- შენახვის ვადა:
- Ერთი წელი
- ჩიპი From:
- ჰონგ კონგი
- RoHS:
- Გადახდის საშუალება:
-
- გადაზიდვის გზა:
- ოჯახის კატეგორიები:
- KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, ტირისტორები - სკკ, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, დიოდები - გასწორება - მასივები, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი and ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი ...
- Კონკურენტული უპირატესობა:
- We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation S5D M6G electronic components. S5D M6G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for S5D M6G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
S5D M6G პროდუქტის ატრიბუტები
Ნაწილი ნომერი :
S5D M6G
მწარმოებელი :
Taiwan Semiconductor Corporation
აღწერა :
DIODE GEN PURP 200V 5A DO214AB
სერიები :
-
ნაწილის სტატუსი :
Not For New Designs
დიოდის ტიპი :
Standard
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) :
200V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) :
5A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ :
1.15V @ 5A
სიჩქარე :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) :
1.5µs
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr :
10µA @ 200V
Capacitance @ Vr, F :
60pF @ 4V, 1MHz
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
პაკეტი / საქმე :
DO-214AB, SMC
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
DO-214AB (SMC)
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება :
-55°C ~ 150°C
Უახლესი ცნობები
თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
-
-
CMDSH05-4 TR
Central Semiconductor Corp
DIODE SCHOTTKY 40V 500MA SOD323. Schottky Diodes & Rectifiers 40V Low Vf Schottky 500mA If 250mW
-
GL41YHE3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 1.6KV 1A DO213AB. Rectifiers 1 Amp 1600 Volt 30 Amp IFSM
-
RGL34KHE3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 800V 500MA DO213. Rectifiers 800 Volt 0.5A 250ns 10 Amp IFSM
-
GL34BHE3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213. Rectifiers 100 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM
-
GL34AHE3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 50V 500MA DO213AA. Rectifiers 50 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM
ცხელი ნაწილები
- IDD12SG60CXTMA2
- S1MFL RVG
- RGP10J-5025M3/73
- JAN1N1190
- R4260F
- R9G22011ASOO
- MURS120HE3/52T
- IDW12G65C5FKSA1
- SB040-E3/54
- NSRM30CM3T5G
- AR3PJHM3/86A
- VS-60CPF02PBF
- VS-150SQ035
- RGP02-14E-M3/73
- RS1GHE3/5AT
- RGP5020HE3/54
- SB160A-E3/73
- GP15KHE3/73
- 1N4937L-T
- MR7510-BP
- JAN1N6629US
- STTH40P03SFP
- BAS29_D87Z
- D4015L
- VS-12TQ040PBF
- SS16T3
- MBRB745
- RS3G-13
- 20ETS12S
- 1PS59SB20,115
- MBRM120ET1H
- ER1D-TP
- 1N4935-TP
- MUR110-AP
- STPS2H100UF
- RU 2V1
- SK56C M6G
- ESH2CHE3_A/I
- BA159GPE-E3/73
- LL4448-GS08
选择你的位置