Microsemi Corporation - APTGF50VDA120T3G

KEY Part #: K6533712

ოჯახის კატეგორიები:: KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, დენის მართვის მოდული, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, დიოდები - RF and ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF ...

Კონკურენტული უპირატესობა:: We specialize in Microsemi Corporation APTGF50VDA120T3G electronic components. APTGF50VDA120T3G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APTGF50VDA120T3G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

Ნაწილი ნომერი : APTGF50VDA120T3G

მწარმოებელი : Microsemi Corporation

აღწერა : POWER MOD IGBT NPT DL BOOST SP3

სერიები : -

ნაწილის სტატუსი : Obsolete

IGBT ტიპი : NPT

კონფიგურაცია : Dual Boost Chopper

ვოლტაჟი - კოლექციონერის გამანაწილებელი ავარია (მაქსიმალური) : 1200V

მიმდინარე - კოლექციონერი (Ic) (მაქსიმალური) : 70A

ძალა - მაქსიმუმი : 312W

Vce (ჩართულია) (Max) @ Vge, Ic : 3.7V @ 15V, 50A

მიმდინარე - კოლექციონერის შეწყვეტა (მაქსიმალური) : 250µA

შეყვანის სიმძლავრე (ცდის) @ Vce : 3.45nF @ 25V

შეყვანა : Standard

NTC თერმოსტორი : Yes

ოპერაციული ტემპერატურა : -

სამონტაჟო ტიპი : Chassis Mount

პაკეტი / საქმე : SP3

მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : SP3

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ

VS-CPV363M4KPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP.
VS-GT100DA60U

Vishay Semiconductor Diodes Division

IGBT 600V 184A 577W SOT-227.
VS-GT100DA120U

Vishay Semiconductor Diodes Division

IGBT 1200V 258A 893W SOT-227.
VS-GB75SA120UP

Vishay Semiconductor Diodes Division

MODULE IGBT SOT-227.
VS-GB70NA60UF

Vishay Semiconductor Diodes Division

IGBT 600V 111A 447W SOT-227.
VS-GB75DA120UP

Vishay Semiconductor Diodes Division

MODULE IGBT SOT-227.

ცხელი ნაწილები