თუ თქვენი ადგილმდებარეობა არ არის ჩამოთვლილი, აირჩიეთ შემდეგი ქვემოთ:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

თუ თქვენი ადგილმდებარეობა არ არის ჩამოთვლილი, აირჩიეთ შემდეგი ქვემოთ:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. მთავარი
  2. პროდუქტები
  3. დისკრეტული ნახევარგამტარული პროდუქტები
  4. დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი
  5. GC10MPS12-220

GeneSiC Semiconductor - GC10MPS12-220

KEY Part #: K6433306

GC10MPS12-220 ფასები (აშშ დოლარი) [7838ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$5.25755
Ნაწილი ნომერი:
GC10MPS12-220
მწარმოებელი:
GeneSiC Semiconductor
Დეტალური აღწერა:
SIC DIODE 1200V 10A TO-220-2.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - ზენერი - მასივები, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, დიოდები - RF, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, Thististors - SCRs - მოდულები and ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in GeneSiC Semiconductor GC10MPS12-220 electronic components. GC10MPS12-220 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GC10MPS12-220, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

GC10MPS12-220 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : GC10MPS12-220
მწარმოებელი : GeneSiC Semiconductor
აღწერა : SIC DIODE 1200V 10A TO-220-2
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
დიოდის ტიპი : Silicon Carbide Schottky
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 1200V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 54A (DC)
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1.8V @ 10A
სიჩქარე : No Recovery Time > 500mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) : 0ns
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 10µA @ 1200V
Capacitance @ Vr, F : 660pF @ 1V, 1MHz
სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
პაკეტი / საქმე : TO-220-2
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : TO-220-2
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -55°C ~ 175°C
თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • MMBD914-TP

    Micro Commercial Co

    DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 100V

  • BAS19WT-TP

    Micro Commercial Co

    DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT323. Diodes - General Purpose, Power, Switching 200mA 100V

  • SS2FL4HM3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 40V 2A DO-219AB. Schottky Diodes & Rectifiers If(AV) 2A Vrrm 40V AEC-Q101 Qualified

  • V2FM10-M3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    2A100VSMFTRENCH SKY RECT..

  • SS2FH6HM3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 60V 2A DO219AB. Schottky Diodes & Rectifiers 2A 60V Schottky Rect

  • SS2FN6HM3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 60V 2A DO219AB. Schottky Diodes & Rectifiers 2A,60V,SMFSkty Rect AEC-Q101 Qualified

ცხელი ნაწილები