Vishay Semiconductor Diodes Division - IMBD4148-G3-18

KEY Part #: K6458638

IMBD4148-G3-18 ფასები (აშშ დოლარი) [3334097ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.01171
  • 10,000 pcs$0.01165

Ნაწილი ნომერი:
IMBD4148-G3-18
მწარმოებელი:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Დეტალური აღწერა:
DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 100V 150mA 4ns
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ, დენის მართვის მოდული, დიოდები - გასწორება - მასივები, დიოდები - ხიდის გასწორება, დიოდები - ზენერი - მასივები and ტირისტორები - TRIACs ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division IMBD4148-G3-18 electronic components. IMBD4148-G3-18 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IMBD4148-G3-18, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IMBD4148-G3-18 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : IMBD4148-G3-18
მწარმოებელი : Vishay Semiconductor Diodes Division
აღწერა : DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23
სერიები : Automotive, AEC-Q101
ნაწილის სტატუსი : Active
დიოდის ტიპი : Standard
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 75V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 150mA
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1V @ 10mA
სიჩქარე : Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
უკუ აღდგენის დრო (trr) : 4ns
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 2.5µA @ 70V
Capacitance @ Vr, F : -
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : SOT-23
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : 150°C (Max)

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • BAL74E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 50V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode 250mA

  • BAT54T

    ON Semiconductor

    DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT523. Schottky Diodes & Rectifiers 0.2A,30V,Surf Mt SCHOTTKY Barr DIODE

  • BAS21E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode

  • BAS116E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode

  • BAR74E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 50V 250MA SOT23-3.

  • BAL99E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Tuning Diode