Microsemi Corporation - JAN1N4153-1

KEY Part #: K6427774

JAN1N4153-1 ფასები (აშშ დოლარი) [15631ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$4.13377
  • 10 pcs$3.71951
  • 25 pcs$3.38881
  • 100 pcs$3.05819
  • 250 pcs$2.81022
  • 500 pcs$2.56226

Ნაწილი ნომერი:
JAN1N4153-1
მწარმოებელი:
Microsemi Corporation
Დეტალური აღწერა:
DIODE GEN PURP 75V 150MA DO35. Diodes - General Purpose, Power, Switching Switching Diode
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, დიოდები - ზენერი - მასივები, დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ, დიოდები - გასწორება - მასივები, ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების, ტრანზისტორები - JFET, დიოდები - ხიდის გასწორება and ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Microsemi Corporation JAN1N4153-1 electronic components. JAN1N4153-1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JAN1N4153-1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JAN1N4153-1 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : JAN1N4153-1
მწარმოებელი : Microsemi Corporation
აღწერა : DIODE GEN PURP 75V 150MA DO35
სერიები : Military, MIL-PRF-19500/337
ნაწილის სტატუსი : Active
დიოდის ტიპი : Standard
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 75V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 150mA (DC)
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 880mV @ 20mA
სიჩქარე : Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
უკუ აღდგენის დრო (trr) : 4ns
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 50nA @ 50V
Capacitance @ Vr, F : 2pF @ 0V, 1MHz
სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
პაკეტი / საქმე : DO-204AH, DO-35, Axial
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : DO-35
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -65°C ~ 175°C

Უახლესი ცნობები

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • GP2D003A065C

    Global Power Technologies Group

    DIODE SCHOTTKY 650V 3A TO252-2.

  • V20PW60HM3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 60V 20A SLIMDPAK. Schottky Diodes & Rectifiers 20A If(AV) TO-252AE AEC-Q101 Qualified

  • V20PWM12HM3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 120V 20A SLIMDPAK. Schottky Diodes & Rectifiers 20A If(AV) TO-252AE AEC-Q101 Qualified

  • V20PW15-M3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 150V 20A SLIMDPAK. Schottky Diodes & Rectifiers Single Die TO-252AE 20A If(AV)

  • V20PWM45-M3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 45V 20A SLIMDPAK. Schottky Diodes & Rectifiers Single Die TO-252AE 20A If(AV)

  • V35PW10HM3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 100V 35A SLIMDPAK. Schottky Diodes & Rectifiers 35A If(AV) TO-252AE AEC-Q101 Qualified