Ნაწილი ნომერი :
PHD21N06LT,118
მწარმოებელი :
NXP USA Inc.
აღწერა :
MOSFET N-CH 55V 19A DPAK
ნაწილის სტატუსი :
Obsolete
ტექნოლოგია :
MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
55V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
19A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) :
5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
70 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 1mA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
9.4nC @ 5V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
650pF @ 25V
დენის დაშლა (მაქსიმალური) :
56W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა :
-55°C ~ 175°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
DPAK
პაკეტი / საქმე :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63