გამოსახულება | საკვანძო ნაწილი # / მწარმოებელი | აღწერა / PDF | რაოდენობა / RFQ |
---|---|---|---|
Winbond Electronics |
IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP. DRAM 128M SDR SDRAM x16, 166MHz, Ind temp |
58415ცალი საფონდო |
|
Winbond Electronics |
IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II. DRAM 128M DDR SDRAM x16 200MHz, Ind. Temp 46nm |
58415ცალი საფონდო |
|
Winbond Electronics |
IC DRAM 256M PARALLEL 60WBGA. DRAM 256M DDR2-800, x8, Ind temp T&R |
58567ცალი საფონდო |
|
Winbond Electronics |
IC DRAM 256M PARALLEL 84WBGA. DRAM 256M DDR2-800, x16, Ind temp T&R |
58567ცალი საფონდო |
|
Winbond Electronics |
IC DRAM 64M PARALLEL 86TSOP II. DRAM 64M, SDR SDRAM, x32, 166MHz, 65nm T&R |
58624ცალი საფონდო |
|
Winbond Electronics |
IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP. DRAM 256M SDR SDRAM x16, 166MHz |
59006ცალი საფონდო |
|
Winbond Electronics |
IC DRAM 128M PARALLEL 84TFBGA. DRAM 128M DDR2-800, x16 |
59401ცალი საფონდო |
|
Winbond Electronics |
IC FLASH 128M SPI 133MHZ 8WSON. NOR Flash spiFlash, 3V, 128M-bit, 4Kb Uniform Sector, DTR |
61314ცალი საფონდო |
|
Winbond Electronics |
IC DRAM 16M PARALLEL 60VFBGA. DRAM 16M, SDR SDRAM, 166MHz |
61478ცალი საფონდო |
|
Winbond Electronics |
IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II. DRAM 128M DDR SDRAM x16 200MHz, 46nm |
61527ცალი საფონდო |
|
Winbond Electronics |
IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP. DRAM 128M SDR SDRAM x16, 166MHz |
61527ცალი საფონდო |
|
Winbond Electronics |
IC FLASH 128M SPI 104MHZ 16SOIC. |
62569ცალი საფონდო |
|
Winbond Electronics |
IC DRAM 256M PARALLEL 60WBGA. DRAM 256M DDR2-1066, x8 |
62629ცალი საფონდო |
|
Winbond Electronics |
IC DRAM 256M PARALLEL 84WBGA. DRAM 256M DDR2-1066, x16 |
62629ცალი საფონდო |
|
Winbond Electronics |
IC DRAM 256M PARALLEL 60WBGA. DRAM 256M DDR2-800, x8 |
62629ცალი საფონდო |
|
Winbond Electronics |
IC FLASH 128M SPI 104MHZ 8WSON. |
62700ცალი საფონდო |
|
Winbond Electronics |
IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP. DRAM 128M SDR SDRAM x16, 166MHz, Ind temp T&R |
63177ცალი საფონდო |
|
Winbond Electronics |
IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II. DRAM 128M DDR SDRAM x16 200MHz, Ind. Temp 46nm T&R |
63177ცალი საფონდო |
|
Winbond Electronics |
IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II. DRAM 256M DDR SDRAM x16, 200Mhz, 65nm T&R |
63188ცალი საფონდო |
|
Winbond Electronics |
IC DRAM 512M PARALLEL 60WBGA. DRAM 512M DDR2-800, x8 T&R |
63635ცალი საფონდო |