მეხსიერება

გამოსახულება საკვანძო ნაწილი # / მწარმოებელი აღწერა / PDF რაოდენობა / RFQ
W9812G6KH-6I

W9812G6KH-6I

Winbond Electronics

IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP. DRAM 128M SDR SDRAM x16, 166MHz, Ind temp

58415ცალი საფონდო

W9412G6KH-5I

W9412G6KH-5I

Winbond Electronics

IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II. DRAM 128M DDR SDRAM x16 200MHz, Ind. Temp 46nm

58415ცალი საფონდო

W9725G8KB25I TR

W9725G8KB25I TR

Winbond Electronics

IC DRAM 256M PARALLEL 60WBGA. DRAM 256M DDR2-800, x8, Ind temp T&R

58567ცალი საფონდო

W9725G6KB25I TR

W9725G6KB25I TR

Winbond Electronics

IC DRAM 256M PARALLEL 84WBGA. DRAM 256M DDR2-800, x16, Ind temp T&R

58567ცალი საფონდო

W9864G2JH-6 TR

Winbond Electronics

IC DRAM 64M PARALLEL 86TSOP II. DRAM 64M, SDR SDRAM, x32, 166MHz, 65nm T&R

58624ცალი საფონდო

W9825G6KH-5

W9825G6KH-5

Winbond Electronics

IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP. DRAM 256M SDR SDRAM x16, 166MHz

59006ცალი საფონდო

W9712G6KB25I

W9712G6KB25I

Winbond Electronics

IC DRAM 128M PARALLEL 84TFBGA. DRAM 128M DDR2-800, x16

59401ცალი საფონდო

W25Q128JVEIM

W25Q128JVEIM

Winbond Electronics

IC FLASH 128M SPI 133MHZ 8WSON. NOR Flash spiFlash, 3V, 128M-bit, 4Kb Uniform Sector, DTR

61314ცალი საფონდო

W9816G6JB-6

W9816G6JB-6

Winbond Electronics

IC DRAM 16M PARALLEL 60VFBGA. DRAM 16M, SDR SDRAM, 166MHz

61478ცალი საფონდო

W9412G6KH-5

W9412G6KH-5

Winbond Electronics

IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II. DRAM 128M DDR SDRAM x16 200MHz, 46nm

61527ცალი საფონდო

W9812G6KH-6

W9812G6KH-6

Winbond Electronics

IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP. DRAM 128M SDR SDRAM x16, 166MHz

61527ცალი საფონდო

W25Q128FWFIG TR

W25Q128FWFIG TR

Winbond Electronics

IC FLASH 128M SPI 104MHZ 16SOIC.

62569ცალი საფონდო

W9725G8KB-18

W9725G8KB-18

Winbond Electronics

IC DRAM 256M PARALLEL 60WBGA. DRAM 256M DDR2-1066, x8

62629ცალი საფონდო

W9725G6KB-18

W9725G6KB-18

Winbond Electronics

IC DRAM 256M PARALLEL 84WBGA. DRAM 256M DDR2-1066, x16

62629ცალი საფონდო

W9725G8KB-25

W9725G8KB-25

Winbond Electronics

IC DRAM 256M PARALLEL 60WBGA. DRAM 256M DDR2-800, x8

62629ცალი საფონდო

W25Q128FWEIG TR

W25Q128FWEIG TR

Winbond Electronics

IC FLASH 128M SPI 104MHZ 8WSON.

62700ცალი საფონდო

W9812G6KH-6I TR

W9812G6KH-6I TR

Winbond Electronics

IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP. DRAM 128M SDR SDRAM x16, 166MHz, Ind temp T&R

63177ცალი საფონდო

W9412G6KH-5I TR

W9412G6KH-5I TR

Winbond Electronics

IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II. DRAM 128M DDR SDRAM x16 200MHz, Ind. Temp 46nm T&R

63177ცალი საფონდო

W9425G6KH-5 TR

W9425G6KH-5 TR

Winbond Electronics

IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II. DRAM 256M DDR SDRAM x16, 200Mhz, 65nm T&R

63188ცალი საფონდო

W9751G8KB-25 TR

W9751G8KB-25 TR

Winbond Electronics

IC DRAM 512M PARALLEL 60WBGA. DRAM 512M DDR2-800, x8 T&R

63635ცალი საფონდო