მეხსიერება


გამოსახულება საკვანძო ნაწილი # / მწარმოებელი აღწერა / PDF რაოდენობა / RFQ
W947D6HBHX6E TR

W947D6HBHX6E TR

Winbond Electronics

IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA. DRAM 128M mDDR, x16, 166MHz, 65nm T&R

49022ცალი საფონდო

W987D6HBGX6E TR

W987D6HBGX6E TR

Winbond Electronics

IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA. DRAM 128M mSDR, x16, 166MHz T&R

49022ცალი საფონდო

AT45DQ161-SHFHD-T

AT45DQ161-SHFHD-T

Adesto Technologies

IC FLASH 16M SPI 85MHZ 8SOIC. NOR Flash 16MB, 2.3V 85Mhz Serial Flash

49022ცალი საფონდო

AT45DQ161-SHFHB-T

AT45DQ161-SHFHB-T

Adesto Technologies

IC FLASH 16M SPI 85MHZ 8SOIC. NOR Flash 16MB, 2.3V 85Mhz Serial Flash

49022ცალი საფონდო

W987D6HBGX7E TR

W987D6HBGX7E TR

Winbond Electronics

IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA. DRAM 128M mSDR, x16, 133MHz, 65nm T&R

49022ცალი საფონდო

W947D6HBHX5E TR

W947D6HBHX5E TR

Winbond Electronics

IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA. DRAM 128M mDDR, x16, 200MHz T&R

49022ცალი საფონდო

W947D6HBHX5I TR

W947D6HBHX5I TR

Winbond Electronics

IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA. DRAM 128M mDDR, x16, 200MHz, Industrial Temp T&R

49022ცალი საფონდო

W987D6HBGX6I TR

W987D6HBGX6I TR

Winbond Electronics

IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA. DRAM 128M mSDR, x16, 166MHz, Ind Temp T&R

49022ცალი საფონდო

SST26VF032B-104I/TD

SST26VF032B-104I/TD

Microchip Technology

IC FLASH 32M SPI 104MHZ 24TFBGA.

49048ცალი საფონდო

NDD36PT6-2AIT

NDD36PT6-2AIT

Insignis Technology Corporation

IC SDRAM 256MBIT 200MHZ 66TSOP.

49166ცალი საფონდო

71024S20YG8

71024S20YG8

IDT, Integrated Device Technology Inc

IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ. SRAM 128Kx8 ASYNCHRONOUS 5.0V STATIC RAM

49166ცალი საფონდო

IS43R16800E-6TLI-TR

IS43R16800E-6TLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II. DRAM 128M (8Mx16) 166MHz DDR 2.5v

49166ცალი საფონდო

IS66WV51216EBLL-70TLI-TR

IS66WV51216EBLL-70TLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IC PSRAM 8M PARALLEL 44TSOP II. SRAM 8Mb,Pseudo SRAM,Async,512K x 16,70ns,2.5v~3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS

49166ცალი საფონდო

MB85RS128APNF-G-JNE1

MB85RS128APNF-G-JNE1

Fujitsu Electronics America, Inc.

IC FRAM 128K SPI 25MHZ 8SOP.

49166ცალი საფონდო

AS4C2M32SA-7TCNTR

AS4C2M32SA-7TCNTR

Alliance Memory, Inc.

IC DRAM 64M PARALLEL 86TSOP II. DRAM SDRAM,64M,3.3V 143MHz,2M x 33

49166ცალი საფონდო

IS61WV12816EDBLL-10TLI-TR

IS61WV12816EDBLL-10TLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IC SRAM 2M PARALLEL 44TSOP2. SRAM 2Mb (128K x 16) 10ns 2.4V-3.6V Async

49166ცალი საფონდო

IS61WV25616EDBLL-10TLI-TR

IS61WV25616EDBLL-10TLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II. SRAM 4Mb 512K x 8 10ns Async SRAM

49166ცალი საფონდო

AS4C16M16MD1-6BCNTR

AS4C16M16MD1-6BCNTR

Alliance Memory, Inc.

IC DRAM 256M PARALLEL 60FPBGA. DRAM 256M, 1.8V, 166Mhz 16M x 16 Mobile DDR

49166ცალი საფონდო

AS4C16M16D1A-5TCNTR

AS4C16M16D1A-5TCNTR

Alliance Memory, Inc.

IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II. DRAM

49166ცალი საფონდო

AS4C2M32SA-6TCNTR

AS4C2M32SA-6TCNTR

Alliance Memory, Inc.

IC DRAM 64M PARALLEL 86TSOP II. DRAM SDRAM,64M,3.3V 166MHz,2M x 32

49166ცალი საფონდო