თუ თქვენი ადგილმდებარეობა არ არის ჩამოთვლილი, აირჩიეთ შემდეგი ქვემოთ:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

თუ თქვენი ადგილმდებარეობა არ არის ჩამოთვლილი, აირჩიეთ შემდეგი ქვემოთ:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. მთავარი
  2. პროდუქტები
  3. ინტეგრირებული სქემები (ICS)
  4. მეხსიერება
  5. W987D6HBGX7E TR

Winbond Electronics - W987D6HBGX7E TR

KEY Part #: K942568

W987D6HBGX7E TR ფასები (აშშ დოლარი) [49022ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.99613
  • 2,500 pcs$0.99118
Ნაწილი ნომერი:
W987D6HBGX7E TR
მწარმოებელი:
Winbond Electronics
Დეტალური აღწერა:
IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA. DRAM 128M mSDR, x16, 133MHz, 65nm T&R
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ინტერფეისი - I / O Expanders, ინტერფეისი - ხმის ჩანაწერი და დაკვრა, PMIC - ბატარეის მენეჯმენტი, ინტერფეისი - მოდემი - IC და მოდულები, ხაზოვანი - გამაძლიერებლები - აუდიო, PMIC - თერმული მენეჯმენტი, ინტერფეისი - სიგნალის ტერმინატორები and PMIC - განათების, ბალასტის კონტროლერები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Winbond Electronics W987D6HBGX7E TR electronic components. W987D6HBGX7E TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for W987D6HBGX7E TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

W987D6HBGX7E TR პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : W987D6HBGX7E TR
მწარმოებელი : Winbond Electronics
აღწერა : IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Not For New Designs
მეხსიერების ტიპი : Volatile
მეხსიერების ფორმატი : DRAM
ტექნოლოგია : SDRAM - Mobile LPSDR
მეხსიერების ზომა : 128Mb (8M x 16)
საათის სიხშირე : 133MHz
დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი : 15ns
წვდომის დრო : 5.4ns
მეხსიერების ინტერფეისი : Parallel
ძაბვა - მიწოდება : 1.7V ~ 1.95V
ოპერაციული ტემპერატურა : -25°C ~ 85°C (TC)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : 54-TFBGA
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : 54-VFBGA (8x9)

Უახლესი ცნობები

Winbond NOR Product Portfolio
Winbond DRAM Product Portfolio
თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • IS25WP064A-JKLE

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC FLASH 64M SPI 133MHZ 8WSON. NOR Flash 64Mb QPI/QSPI, WSON, RoHS

  • IS25WP032A-JKLE-TR

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC FLASH 32M SPI 133MHZ WSON. NOR Flash 32Mb QPI/QSPI, WSON, RoHS, T&R

  • 25LC512-E/MF

    Microchip Technology

    IC EEPROM 512K SPI 20MHZ 8DFN. EEPROM 512k 64KX8 2.5V SER EE EXT

  • 602-10001

    Parallax Inc.

    IC EEPROM 512K I2C 1MHZ.

  • W25Q128FWSIG

    Winbond Electronics

    IC FLASH 128M SPI 104MHZ 8SOIC. NOR Flash spiFlash, 128M-bit, 4Kb Uniform Sector

  • IS25WP032A-JBLE

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC FLASH 32M SPI 133MHZ 8SOP.

ცხელი ნაწილები