გამოსახულება | საკვანძო ნაწილი # / მწარმოებელი | აღწერა / PDF | რაოდენობა / RFQ |
---|---|---|---|
![]() |
NXP USA Inc. |
FET RF 2CH 65V 2.17GHZ OM780-4. |
3081ცალი საფონდო |
![]() |
NXP USA Inc. |
FET RF 2CH 130V 230MHZ NI1230S. |
807ცალი საფონდო |
![]() |
NXP USA Inc. |
FET RF 110V 1.03GHZ NI-780H. |
254ცალი საფონდო |
![]() |
NXP USA Inc. |
TRANS 960-1215MHZ 1000W PEAK 50V. |
181ცალი საფონდო |
![]() |
NXP USA Inc. |
AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO. |
1381ცალი საფონდო |
![]() |
NXP USA Inc. |
FET RF 2CH 115V 860MHZ TO270-4. |
1029ცალი საფონდო |
![]() |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 100V 17DB SOT539B. |
217ცალი საფონდო |
![]() |
NXP USA Inc. |
IC TRANS RF LDMOS. |
177ცალი საფონდო |
![]() |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 13DB SOT539B. |
106ცალი საფონდო |
![]() |
NXP USA Inc. |
IC RF LDMOS AMP. |
2585ცალი საფონდო |
![]() |
NXP USA Inc. |
WIDEBAND RF POWER LDMOS TRANSIST. |
768ცალი საფონდო |
![]() |
NXP USA Inc. |
TRANS 1030MHZ 1550W PEAK 50V. |
159ცალი საფონდო |
![]() |
NXP USA Inc. |
FET RF 110V 220MHZ TO270-2. |
6720ცალი საფონდო |
![]() |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 100V 17DB SOT1135B. |
452ცალი საფონდო |
![]() |
NXP USA Inc. |
FET RF 2CH 130V 860MHZ NI-1230. |
367ცალი საფონდო |
![]() |
NXP USA Inc. |
FET RF 120V 1.3GHZ NI-780. |
310ცალი საფონდო |
![]() |
NXP USA Inc. |
FET RF 2CH 70V 920MHZ NI1230S-4S. |
681ცალი საფონდო |
![]() |
Ampleon USA Inc. |
RF MOSFET LDMOS 50V SOT502B. |
193ცალი საფონდო |
![]() |
NXP USA Inc. |
FET RF 2CH 110V 1.03GHZ NI1230H. |
156ცალი საფონდო |
![]() |
NXP USA Inc. |
FET RF 2CH 40V 870MHZ TO-270. |
6656ცალი საფონდო |