ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF


გამოსახულება საკვანძო ნაწილი # / მწარმოებელი აღწერა / PDF რაოდენობა / RFQ
BLF871S,112

BLF871S,112

Ampleon USA Inc.

RF FET LDMOS 89V 19DB SOT467B.

710ცალი საფონდო

BLS9G2934LS-400U

BLS9G2934LS-400U

Ampleon USA Inc.

RF MOSFET LDMOS 32V SOT502B.

261ცალი საფონდო

BLF881S,112

BLF881S,112

Ampleon USA Inc.

RF FET LDMOS 104V 21DB SOT467B.

897ცალი საფონდო

375-501N21A-00

375-501N21A-00

IXYS-RF

RF MOSFET N-CHANNEL DE375.

4227ცალი საფონდო

MRF141G

MRF141G

M/A-Com Technology Solutions

FET RF 2CH 65V 175MHZ 375-04.

511ცალი საფონდო

ARF463AP1G

ARF463AP1G

Microsemi Corporation

RF PWR MOSFET 500V 9A TO-247.

2607ცალი საფონდო

BLF8G27LS-140,112

BLF8G27LS-140,112

Ampleon USA Inc.

RF FET LDMOS 65V 17.4DB SOT502B.

1214ცალი საფონდო

BLA9G1011LS-300U

BLA9G1011LS-300U

Ampleon USA Inc.

RF MOSFET LDMOS 32V SOT502B.

345ცალი საფონდო

BLS9G2934L-400U

BLS9G2934L-400U

Ampleon USA Inc.

RF MOSFET LDMOS 32V SOT502A.

261ცალი საფონდო

MHT1004NR3

MHT1004NR3

NXP USA Inc.

RF POWER LDMOS TRANSISTOR 2450.

717ცალი საფონდო

MRF6V12500HSR5

MRF6V12500HSR5

NXP USA Inc.

FET RF 110V 1.03GHZ NI-1230H.

254ცალი საფონდო

MMRF1009HSR5

MMRF1009HSR5

NXP USA Inc.

FET RF 110V 1.03GHZ NI-780S.

186ცალი საფონდო

MMRF1008GHR5

NXP USA Inc.

PULSE LATERAL N-CHANNEL RF POWER.

407ცალი საფონდო

A2T07D160W04SR3

A2T07D160W04SR3

NXP USA Inc.

FET RF 2CH 70V 803MHZ.

920ცალი საფონდო

MRF8HP21080HR3

MRF8HP21080HR3

NXP USA Inc.

FET RF 2CH 65V 2.17GHZ NI780-4.

1834ცალი საფონდო

A2T21H100-25SR3

NXP USA Inc.

IC RF LDMOS TRANS CELL.

1231ცალი საფონდო

MRFE6S9125NBR1

MRFE6S9125NBR1

NXP USA Inc.

FET RF 66V 880MHZ TO-272-4.

1429ცალი საფონდო

MRF6V12500GSR5

NXP USA Inc.

PULSED LATERAL N-CHANNEL RF POWE.

252ცალი საფონდო

MMRF1320GNR1

NXP USA Inc.

TRANS 1.8--600MHZ 150W CW 50V.

3345ცალი საფონდო

MRF8P29300HR6

MRF8P29300HR6

NXP USA Inc.

FET RF 2CH 65V 2.9GHZ NI1230.

258ცალი საფონდო