ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS42S83200G-6TL-TR

KEY Part #: K938560

IS42S83200G-6TL-TR ფასები (აშშ დოლარი) [20940ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$2.61814
  • 1,500 pcs$2.60511

Ნაწილი ნომერი:
IS42S83200G-6TL-TR
მწარმოებელი:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Დეტალური აღწერა:
IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP. DRAM 256M 32Mx8 166MHz SDRAM, 3.3v
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ლოგიკა - შემსრულებლები, PMIC - ლაზერული დრაივერი, მეხსიერება, ინტერფეისი - შიფრატორები, დეკოდიერები, გადამყვანი, ჩაშენებული - მიკროკონტროლერი, მიკროპროცესორული, FP, ჩაშენებული - მიკროკონტროლები, ინტერფეისი - ანალოგური კონცენტრატორები, მულტიპლექს and ჩაშენებული - FPGAs (საველე პროგრამირებადი კარიბჭის ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S83200G-6TL-TR electronic components. IS42S83200G-6TL-TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IS42S83200G-6TL-TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IS42S83200G-6TL-TR პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : IS42S83200G-6TL-TR
მწარმოებელი : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
აღწერა : IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
მეხსიერების ტიპი : Volatile
მეხსიერების ფორმატი : DRAM
ტექნოლოგია : SDRAM
მეხსიერების ზომა : 256Mb (32M x 8)
საათის სიხშირე : 166MHz
დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი : -
წვდომის დრო : 5.4ns
მეხსიერების ინტერფეისი : Parallel
ძაბვა - მიწოდება : 3V ~ 3.6V
ოპერაციული ტემპერატურა : 0°C ~ 70°C (TA)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : 54-TSOP II

Უახლესი ცნობები

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • AT28HC64BF-12SU

    Microchip Technology

    IC EEPROM 64K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 1M 5V SDP - 120NS IND TEMP

  • AT28HC64B-90SU

    Microchip Technology

    IC EEPROM 64K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 1M 5V SDP - 90NS IND TEMP

  • AT28HC64B-70SU

    Microchip Technology

    IC EEPROM 64K PARALLEL 28SOIC. EEPROM PRLLEL EEPROM 64K 8K 70NS SOIC IND TMP GR

  • W9825G2JB-75 TR

    Winbond Electronics

    IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA. DRAM 256M SDR SDRAM x32, 133MHz, T&R

  • W9825G2JB-6 TR

    Winbond Electronics

    IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA. DRAM 256M SDR SDRAM x32, 166MHz, T&R

  • EDB1332BDBH-1DIT-F-R TR

    Micron Technology Inc.

    IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA.