Infineon Technologies - BB814E6327GR1HTSA1

KEY Part #: K6462600

BB814E6327GR1HTSA1 ფასები (აშშ დოლარი) [745250ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.04963

Ნაწილი ნომერი:
BB814E6327GR1HTSA1
მწარმოებელი:
Infineon Technologies
Დეტალური აღწერა:
DIODE VAR CAP 18V 50MA SOT-23. Varactor Diodes 50mA Silicn Variable Capacitance Diode
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - ხიდის გასწორება, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, დიოდები - გასწორება - მასივები, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, Thististors - SCRs - მოდულები and ტრანზისტორი - IGBT - ერთი ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Infineon Technologies BB814E6327GR1HTSA1 electronic components. BB814E6327GR1HTSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BB814E6327GR1HTSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BB814E6327GR1HTSA1 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : BB814E6327GR1HTSA1
მწარმოებელი : Infineon Technologies
აღწერა : DIODE VAR CAP 18V 50MA SOT-23
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
Capacitance @ Vr, F : 22.7pF @ 8V, 1MHz
სიმძლავრის თანაფარდობა : 2.25
სიმძლავრის თანაფარდობის მდგომარეობა : C2/C8
ვოლტაჟი - მწვერვალის უკუ (მაქსიმალური) : 18V
დიოდის ტიპი : 1 Pair Common Cathode
Q @ Vr, F : 200 @ 2V, 100MHz
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 125°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : SOT-23-3

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ