ES3DVHM6G ფასები (აშშ დოლარი) [761822ცალი საფონდო]
- 1 pcs$0.04855
- Ნაწილი ნომერი:
- ES3DVHM6G
- მწარმოებელი:
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Დეტალური აღწერა:
- DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB.
- Manufacturer's standard lead time:
- Საწყობში
- შენახვის ვადა:
- Ერთი წელი
- ჩიპი From:
- ჰონგ კონგი
- RoHS:
- Გადახდის საშუალება:
-
- გადაზიდვის გზა:
- ოჯახის კატეგორიები:
- KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დენის მართვის მოდული, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, ტრანზისტორები - JFET, დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, Thististors - DIACs, SIDACs and დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი ...
- Კონკურენტული უპირატესობა:
- We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation ES3DVHM6G electronic components. ES3DVHM6G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for ES3DVHM6G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
ES3DVHM6G პროდუქტის ატრიბუტები
Ნაწილი ნომერი :
ES3DVHM6G
მწარმოებელი :
Taiwan Semiconductor Corporation
აღწერა :
DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
სერიები :
Automotive, AEC-Q101
ნაწილის სტატუსი :
Active
დიოდის ტიპი :
Standard
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) :
200V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) :
3A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ :
900mV @ 3A
სიჩქარე :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) :
20ns
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr :
10µA @ 200V
Capacitance @ Vr, F :
45pF @ 4V, 1MHz
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
პაკეტი / საქმე :
DO-214AB, SMC
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
DO-214AB (SMC)
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება :
-55°C ~ 150°C
Უახლესი ცნობები
თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
-
-
VS-HFA04SD60STR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 4A D-PAK. Diodes - General Purpose, Power, Switching Hexfreds - D-PAK-e3
-
VS-HFA08SD60STR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 8A D-PAK. Rectifiers Hexfreds - D-PAK-e3
-
VS-8EWS16STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 1.6KV 8A D-PAK. Schottky Diodes & Rectifiers New Input Diodes - D-PAK-e3
-
VS-8EWF04STR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 400V 8A D-PAK. Schottky Diodes & Rectifiers New Input Diodes - D-PAK-e3
-
VS-8EWS10STR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 1KV 8A DPAK. Rectifiers Input Diodes - D-PAK
ცხელი ნაწილები
- APT10SCE120B
- MBR3100VP-G1
- FR206TA
- CMR3U-04 BK
- CMR3U-01 BK
- VS-18TQ035SPBF
- BAY80-TAP
- SS3H10HE3_A/H
- VS-6TQ035STRRPBF
- BAS1602WH6327XTSA1
- APT20SCD120B
- MBRF750HE3/45
- STPS30SM60D
- S5JHE3/9AT
- 1N3743G R G
- SR304-T-F
- GPP60D-E3/54
- 20ETF12FP
- DGP30HE3/54
- S3520
- MX1H5615
- MA3X028TAL
- USD245
- D6025L
- RK 14V1
- STTH8L06DIRG
- 1N5293UR-1
- 1N4002RL
- 20ETF02STRR
- UF4007 TR
- BY329-1200,127
- S1G-F
- 1F1-TP
- UF5406-AP
- 1N649UR-1
- FESF16HTHE3/45
- FES8AT-E3/45
- RP 3FV4
- RFN5BM2SFHTL
- BAS283-GS18
选择你的位置