Vishay Siliconix - SIZF300DT-T1-GE3

KEY Part #: K6522482

SIZF300DT-T1-GE3 ფასები (აშშ დოლარი) [166378ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.22231

Ნაწილი ნომერი:
SIZF300DT-T1-GE3
მწარმოებელი:
Vishay Siliconix
Დეტალური აღწერა:
MOSFET DUAL N-CHAN 30V PPAIR 3X3.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტირისტორები - სკკ, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, Thististors - SCRs - მოდულები, დიოდები - ხიდის გასწორება, დიოდები - გასწორება - მასივები, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები and ტრანზისტორები - JFET ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Vishay Siliconix SIZF300DT-T1-GE3 electronic components. SIZF300DT-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIZF300DT-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIZF300DT-T1-GE3 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : SIZF300DT-T1-GE3
მწარმოებელი : Vishay Siliconix
აღწერა : MOSFET DUAL N-CHAN 30V PPAIR 3X3
სერიები : TrenchFET® Gen IV
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : 2 N-Channel (Dual)
FET თვისება : Standard
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 30V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 23A (Ta), 75A (Tc), 34A (Ta), 141A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.5 mOhm @ 10A, 10V, 1.84 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 22nC @ 10V, 62nC @ 10V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 1100pF @ 15V, 3150pF @ 15V
ძალა - მაქსიმუმი : 3.8W (Ta), 48W (Tc), 4.3W (Ta), 74W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : 8-PowerWDFN
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : 8-PowerPair® (6x5)

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ