Microsemi Corporation - APTGT50TL601G

KEY Part #: K6532472

ოჯახის კატეგორიები:: KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, ტირისტორები - სკკ, Thististors - DIACs, SIDACs, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, Thististors - SCRs - მოდულები and ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF ...

Კონკურენტული უპირატესობა:: We specialize in Microsemi Corporation APTGT50TL601G electronic components. APTGT50TL601G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APTGT50TL601G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

Ნაწილი ნომერი : APTGT50TL601G

მწარმოებელი : Microsemi Corporation

აღწერა : POWER MODULE IGBT 600V 50A SP1

სერიები : -

ნაწილის სტატუსი : Active

IGBT ტიპი : Trench Field Stop

კონფიგურაცია : Three Level Inverter

ვოლტაჟი - კოლექციონერის გამანაწილებელი ავარია (მაქსიმალური) : 600V

მიმდინარე - კოლექციონერი (Ic) (მაქსიმალური) : 80A

ძალა - მაქსიმუმი : 176W

Vce (ჩართულია) (Max) @ Vge, Ic : 1.9V @ 15V, 50A

მიმდინარე - კოლექციონერის შეწყვეტა (მაქსიმალური) : 250µA

შეყვანის სიმძლავრე (ცდის) @ Vce : 3.15nF @ 25V

შეყვანა : Standard

NTC თერმოსტორი : No

ოპერაციული ტემპერატურა : -40°C ~ 175°C (TJ)

სამონტაჟო ტიპი : Chassis Mount

პაკეტი / საქმე : SP1

მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : SP1

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ

GA100SICP12-227

GeneSiC Semiconductor

SIC CO-PACK SJT/RECT 100A 1.2KV.
VS-ENQ030L120S

Vishay Semiconductor Diodes Division

IGBT 1200V 61A 216W EMIPAK-1B. Rectifiers 30A Neutral Point Clamp Topology
CPV362M4F

Vishay Semiconductor Diodes Division

IGBT SIP MODULE 600V 8.8A IMS-2.
A2C35S12M3

STMicroelectronics

IGBT TRENCH 1200V 35A ACEPACK2.
A2C25S12M3

STMicroelectronics

IGBT TRENCH 1200V 25A ACEPACK2.
A1P35S12M3

STMicroelectronics

IGBT TRENCH 1200V 35A ACEPACK1.