Ნაწილი ნომერი :
70T633S12BFI8
მწარმოებელი :
IDT, Integrated Device Technology Inc
აღწერა :
IC SRAM 9M PARALLEL 208CABGA
მეხსიერების ტიპი :
Volatile
მეხსიერების ფორმატი :
SRAM
ტექნოლოგია :
SRAM - Dual Port, Asynchronous
მეხსიერების ზომა :
9Mb (512K x 18)
დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი :
12ns
მეხსიერების ინტერფეისი :
Parallel
ძაბვა - მიწოდება :
2.4V ~ 2.6V
ოპერაციული ტემპერატურა :
-40°C ~ 85°C (TA)
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
პაკეტი / საქმე :
208-LFBGA
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
208-CABGA (15x15)