Micron Technology Inc. - MT53D512M16D1Z11MWC2 ES

KEY Part #: K920716

[8677ცალი საფონდო]


    Ნაწილი ნომერი:
    MT53D512M16D1Z11MWC2 ES
    მწარმოებელი:
    Micron Technology Inc.
    Დეტალური აღწერა:
    LPDDR4 8G DIE 512MX16. DRAM LPDDR4 8G Die 512MX16
    Manufacturer's standard lead time:
    Საწყობში
    შენახვის ვადა:
    Ერთი წელი
    ჩიპი From:
    ჰონგ კონგი
    RoHS:
    Გადახდის საშუალება:
    გადაზიდვის გზა:
    ოჯახის კატეგორიები:
    KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: IC ჩიპები, აუდიო სპეციალური დანიშნულების, მონაცემთა შეძენა - სენსორული მაკონტროლებელი, PMIC - ბატარეის მენეჯმენტი, PMIC - სრული, ნახევარ ხიდი მძღოლები, ინტერფეისი - ანალოგური კონცენტრატორები, მულტიპლექს, PMIC - ძაბვის რეგულატორები - DC DC გადართვის რეგულ and ლოგიკა - თარჯიმნები, დონის ძრავები ...
    Კონკურენტული უპირატესობა:
    We specialize in Micron Technology Inc. MT53D512M16D1Z11MWC2 ES electronic components. MT53D512M16D1Z11MWC2 ES can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MT53D512M16D1Z11MWC2 ES, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    MT53D512M16D1Z11MWC2 ES პროდუქტის ატრიბუტები

    Ნაწილი ნომერი : MT53D512M16D1Z11MWC2 ES
    მწარმოებელი : Micron Technology Inc.
    აღწერა : LPDDR4 8G DIE 512MX16
    სერიები : *
    ნაწილის სტატუსი : Obsolete
    მეხსიერების ტიპი : -
    მეხსიერების ფორმატი : -
    ტექნოლოგია : -
    მეხსიერების ზომა : -
    საათის სიხშირე : -
    დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი : -
    წვდომის დრო : -
    მეხსიერების ინტერფეისი : -
    ძაბვა - მიწოდება : -
    ოპერაციული ტემპერატურა : -
    სამონტაჟო ტიპი : -
    პაკეტი / საქმე : -
    მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : -

    თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
    • 7130LA25TFGI

      IDT, Integrated Device Technology Inc

      IC SRAM 8K PARALLEL 64TQFP. SRAM 1K x 8 Dual Port High Speed RAM

    • S34ML04G104BHV010

      Cypress Semiconductor Corp

      IC FLASH 4G PARALLEL 63BGA. NAND Flash Nand

    • IS46LR32160B-6BLA2-TR

      ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

      IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA. DRAM 512M (16Mx32) Mobile DDR 1.8v

    • IS42S16800F-7B

      ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

      IC DRAM 128M PARALLEL 143MHZ.

    • IS61WV102416EDBLL-10B2LI

      ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

      IC SRAM 16M PARALLEL 48MGA. SRAM 16Mb 10ns 1Mbx16 Async SRAM 2.4V-3.6V

    • IS61WV102416EDBLL-10BLI

      ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

      IC SRAM 16M PARALLEL 48MGA.