GSIB2580N-M3/45 ფასები (აშშ დოლარი) [29783ცალი საფონდო]
- 1 pcs$1.31769
- 10 pcs$1.18284
- 25 pcs$1.06097
- 100 pcs$0.91957
- 250 pcs$0.87241
- 500 pcs$0.78282
- 1,000 pcs$0.66020
- 2,500 pcs$0.62720
- 5,000 pcs$0.60362
- Ნაწილი ნომერი:
- GSIB2580N-M3/45
- მწარმოებელი:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Დეტალური აღწერა:
- BRIDGE RECT 1P 800V 25A GSIB-5S. Bridge Rectifiers 25A,800V,SINGLE INLINE BRIDGE
- Manufacturer's standard lead time:
- Საწყობში
- შენახვის ვადა:
- Ერთი წელი
- ჩიპი From:
- ჰონგ კონგი
- RoHS:
- Გადახდის საშუალება:
-
- გადაზიდვის გზა:
- ოჯახის კატეგორიები:
- KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, დიოდები - გასწორება - მასივები, ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების, დიოდები - ზენერი - მასივები, Thististors - DIACs, SIDACs, დიოდები - RF and ტრანზისტორები - JFET ...
- Კონკურენტული უპირატესობა:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division GSIB2580N-M3/45 electronic components. GSIB2580N-M3/45 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GSIB2580N-M3/45, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
GSIB2580N-M3/45 პროდუქტის ატრიბუტები
Ნაწილი ნომერი :
GSIB2580N-M3/45
მწარმოებელი :
Vishay Semiconductor Diodes Division
აღწერა :
BRIDGE RECT 1P 800V 25A GSIB-5S
სერიები :
-
ნაწილის სტატუსი :
Active
დიოდის ტიპი :
Single Phase
ტექნოლოგია :
Standard
ვოლტაჟი - მწვერვალის უკუ (მაქსიმალური) :
800V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) :
25A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ :
1V @ 12.5A
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr :
10µA @ 800V
ოპერაციული ტემპერატურა :
-55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Through Hole
პაკეტი / საქმე :
4-SIP, GSIB-5S
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
GSIB-5S
Უახლესი ცნობები
თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
-
VS-GBPC3512W
Vishay Semiconductor Diodes Division
BRIDGE RECT 1P 1.2KV 35A GBPC-W. Bridge Rectifiers 1200 Volt 35 Amp
-
GBPC3504W-E4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
BRIDGE RECT 1P 400V 35A GBPC-W. Bridge Rectifiers 35 Amp 400 Volt
-
TSS4B03G D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
BRIDGE RECT 1PHASE 200V 4A TS4B. Bridge Rectifiers 35ns 4A 200V Sup Fst Rec Rect
-
TS6KL60 D3G
Taiwan Semiconductor Corporation
BRIDGE RECT 1PHASE 600V 6A KBJL. Bridge Rectifiers 6A 600V Standard Bridge Rectif
-
TS10KL80 D3G
Taiwan Semiconductor Corporation
BRIDGE RECT 1PHASE 800V 10A KBJL. Bridge Rectifiers 10A 800V Standard Bridge Rectif
-
D2SB60 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2A GBL. Bridge Rectifiers 1.5 Amp 600 Volt 80 Amp IFSM
ცხელი ნაწილები
- 681-6D, 6N, 6P
- 681-1D, 1N, 1P
- APT40DC60HJ
- VUO16012NO7
- VUO100-08NO7
- KBL603G T0G
- GBU8JL-5700M3/51
- GBU6KL-5300E3/51
- GBU6JL-5301M3/51
- GBU4ML-5001E3/45
- GBU4KL-6437E3/51
- G3SBA60L-6088M3/51
- CBR1A-040
- KBP206G C2
- KBP154G C2G
- TS15P07G-K C2G
- 2KBP06ML-6145E4/51
- CBR6F-100
- MSDM100-18
- DBA20G
- MSD75-12
- BR3510W-G
- BR1004W-G
- VSIB2560-E3/45
- CDNBS04-B08800
- DBG250G
- GBU4A-E3/45
- MB254-F
- VUO16-12NO1
- VUC25-12GO2
- VUB120-16NO2
- KBL005
- 3N250
- RB156-BP
- EFG15F
- 60MT140KB
- GBJ610
- MB805
- MB351W
- 2KBP10M/51
选择你的位置