Diodes Incorporated - SBRT3U60P1-7

KEY Part #: K6435253

SBRT3U60P1-7 ფასები (აშშ დოლარი) [841171ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.04397
  • 3,000 pcs$0.03994
  • 6,000 pcs$0.03772
  • 15,000 pcs$0.03439
  • 30,000 pcs$0.03217

Ნაწილი ნომერი:
SBRT3U60P1-7
მწარმოებელი:
Diodes Incorporated
Დეტალური აღწერა:
DIODE SBR 60V 3A POWERDI123. Schottky Diodes & Rectifiers 3A Trench SBR 60Vrrm 0.56Vf 0.15mA
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - JFET, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, დენის მართვის მოდული, დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი and ტირისტორები - TRIACs ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Diodes Incorporated SBRT3U60P1-7 electronic components. SBRT3U60P1-7 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SBRT3U60P1-7, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SBRT3U60P1-7 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : SBRT3U60P1-7
მწარმოებელი : Diodes Incorporated
აღწერა : DIODE SBR 60V 3A POWERDI123
სერიები : Automotive, AEC-Q101
ნაწილის სტატუსი : Active
დიოდის ტიპი : Super Barrier
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 60V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 3A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 560mV @ 3A
სიჩქარე : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) : -
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 150µA @ 60V
Capacitance @ Vr, F : -
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : POWERDI®123
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : PowerDI™ 123
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -65°C ~ 150°C

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • CRG03(TE85L,Q,M)

    Toshiba Semiconductor and Storage

    DIODE GEN PURP 400V 1A SFLAT.

  • 1SS401(TE85L,F)

    Toshiba Semiconductor and Storage

    DIODE SCHOTTKY 20V 300MA SC70. Schottky Diodes & Rectifiers 0.3A 20V 0.16Vf Small Sig Diode

  • SR202HA0G

    Taiwan Semiconductor Corporation

    DIODE SCHOTTKY 20V 2A DO204AC. Schottky Diodes & Rectifiers 2A 20V Schottky Rectifier

  • FR207G A0G

    Taiwan Semiconductor Corporation

    DIODE GEN PURP 2A DO204AC. Rectifiers 500ns 2A 1000V Fast Recov Rectifier

  • FR154G A0G

    Taiwan Semiconductor Corporation

    DIODE GEN PURP 400V 1.5A DO204AC. Rectifiers 150ns 1.5A 400V Fs Recov Rectifier

  • 1N5395GHA0G

    Taiwan Semiconductor Corporation

    DIODE GEN PURP 400V 1.5A DO204AC. Rectifiers 1.5A 400V Standard Recov Rectifier