Infineon Technologies - SPS04N60C3BKMA1

KEY Part #: K6407102

[1090ცალი საფონდო]


    Ნაწილი ნომერი:
    SPS04N60C3BKMA1
    მწარმოებელი:
    Infineon Technologies
    Დეტალური აღწერა:
    MOSFET N-CH 650V 4.5A TO251-3.
    Manufacturer's standard lead time:
    Საწყობში
    შენახვის ვადა:
    Ერთი წელი
    ჩიპი From:
    ჰონგ კონგი
    RoHS:
    Გადახდის საშუალება:
    გადაზიდვის გზა:
    ოჯახის კატეგორიები:
    KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - გასწორება - მასივები, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, დენის მართვის მოდული, დიოდები - RF, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, Thististors - DIACs, SIDACs and ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა ...
    Კონკურენტული უპირატესობა:
    We specialize in Infineon Technologies SPS04N60C3BKMA1 electronic components. SPS04N60C3BKMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SPS04N60C3BKMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SPS04N60C3BKMA1 პროდუქტის ატრიბუტები

    Ნაწილი ნომერი : SPS04N60C3BKMA1
    მწარმოებელი : Infineon Technologies
    აღწერა : MOSFET N-CH 650V 4.5A TO251-3
    სერიები : CoolMOS™
    ნაწილის სტატუსი : Obsolete
    FET ტიპი : N-Channel
    ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
    გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 650V
    მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 4.5A (Tc)
    წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 950 mOhm @ 2.8A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 3.9V @ 200µA
    კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 25nC @ 10V
    Vgs (მაქს) : ±20V
    შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 490pF @ 25V
    FET თვისება : -
    დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 50W (Tc)
    ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
    სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
    მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : PG-TO251-3
    პაკეტი / საქმე : TO-251-3 Stub Leads, IPak

    თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
    • ZVP3310A

      Diodes Incorporated

      MOSFET P-CH 100V 0.14A TO92-3.

    • IRFR5505GTRPBF

      Infineon Technologies

      MOSFET P-CH 55V 18A DPAK.

    • IRLR3636PBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 60V 50A D-PAK.

    • IRFIBE30GPBF

      Vishay Siliconix

      MOSFET N-CH 800V 2.1A TO220FP.

    • SN7002NL6433HTMA1

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-23.

    • SN7002W L6433

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-323.