თუ თქვენი ადგილმდებარეობა არ არის ჩამოთვლილი, აირჩიეთ შემდეგი ქვემოთ:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

თუ თქვენი ადგილმდებარეობა არ არის ჩამოთვლილი, აირჩიეთ შემდეგი ქვემოთ:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. მთავარი
  2. პროდუქტები
  3. ინტეგრირებული სქემები (ICS)
  4. მეხსიერება
  5. AS4C8M16MSA-6BIN

Alliance Memory, Inc. - AS4C8M16MSA-6BIN

KEY Part #: K939150

AS4C8M16MSA-6BIN ფასები (აშშ დოლარი) [23793ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$1.92586
Ნაწილი ნომერი:
AS4C8M16MSA-6BIN
მწარმოებელი:
Alliance Memory, Inc.
Დეტალური აღწერა:
IC DRAM 128M PARALLEL 54FBGA. DRAM 128M 166MHz 8Mx16 Mobile LP SDRAM IT
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ხაზოვანი - შემსრულებლები, ინტერფეისი - პირდაპირი ციფრული სინთეზი (DDS), PMIC - AC DC გადამყვანი, ოფლაინ გადამრთველები, PMIC - ლაზერული დრაივერი, ხაზოვანი - ანალოგური მულტიპლიკატორები, გამყოფი, ლოგიკა - პარიტეტის გენერატორები და ქვები, მეხსიერება - კონტროლერები and PMIC - მიმდინარე რეგულირება / მენეჯმენტი ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Alliance Memory, Inc. AS4C8M16MSA-6BIN electronic components. AS4C8M16MSA-6BIN can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for AS4C8M16MSA-6BIN, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

AS4C8M16MSA-6BIN პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : AS4C8M16MSA-6BIN
მწარმოებელი : Alliance Memory, Inc.
აღწერა : IC DRAM 128M PARALLEL 54FBGA
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
მეხსიერების ტიპი : Volatile
მეხსიერების ფორმატი : DRAM
ტექნოლოგია : SDRAM - Mobile
მეხსიერების ზომა : 128Mb (8M x 16)
საათის სიხშირე : 166MHz
დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი : -
წვდომის დრო : 5ns
მეხსიერების ინტერფეისი : Parallel
ძაბვა - მიწოდება : 1.7V ~ 1.95V
ოპერაციული ტემპერატურა : -40°C ~ 85°C (TA)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : 54-VFBGA
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : 54-FBGA (8x8)

Უახლესი ცნობები

Alliance Memory Low Power CMOS SRAM
Alliance Memory MT41x DDR3 SDRAMs
Alliance Memory Low-Power DDR2 SDRAM
თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • 6116SA15TPG

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 16K PARALLEL 24DIP. SRAM 16K Asynch. 2Kx8 HS, L-Pwr, SRAM

  • IS66WVC4M16EALL-7010BLI-TR

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC PSRAM 64M PARALLEL 54VFBGA. DRAM Pseudo SRAM, 64Mb 4Mb x16bits, ALL

  • S25FS256SDSNFI001

    Cypress Semiconductor Corp

    IC FLASH 256M SPI 80MHZ 8WSON. NOR Flash 256Mb, 1.8V, 80Mhz DDR

  • MT28EW512ABA1LJS-0SIT TR

    Micron Technology Inc.

    IC FLASH 512M PARALLEL 56TSOP. NOR Flash EW-SERIES FLASH NOR SLC 32MX16 TSOP

  • RMLV0416EGBG-4S2#KC0

    Renesas Electronics America

    IC SRAM 4M PARALLEL 48FBGA. SRAM 4Mb 3V Adv. SRAM x16, FBGA, 45NS, T+R

  • R1LP0408DSP-5SI#S0

    Renesas Electronics America

    IC SRAM 4M PARALLEL 32SOP. SRAM 4Mb 5V Adv. SRAM x8, SOP, 55NS, T+R

ცხელი ნაწილები