Micron Technology Inc. - MT41K512M8DA-107:P TR

KEY Part #: K937023

MT41K512M8DA-107:P TR ფასები (აშშ დოლარი) [15699ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$2.91870

Ნაწილი ნომერი:
MT41K512M8DA-107:P TR
მწარმოებელი:
Micron Technology Inc.
Დეტალური აღწერა:
IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA. DRAM DDR3 4G 512MX8 FBGA
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ჩაშენებული - სისტემა ჩიპზე (SoC), PMIC - ბატარეის დამტენები, მეხსიერება - ბატარეები, ჩაშენებული - მიკროკონტროლერი, მიკროპროცესორული, FP, ინტერფეისი - ტელეკომი, ინტერფეისი - შიფრატორები, დეკოდიერები, გადამყვანი, ინტერფეისი - მოდულები and მონაცემთა შეძენა - სენსორული მაკონტროლებელი ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Micron Technology Inc. MT41K512M8DA-107:P TR electronic components. MT41K512M8DA-107:P TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MT41K512M8DA-107:P TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MT41K512M8DA-107:P TR პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : MT41K512M8DA-107:P TR
მწარმოებელი : Micron Technology Inc.
აღწერა : IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
მეხსიერების ტიპი : Volatile
მეხსიერების ფორმატი : DRAM
ტექნოლოგია : SDRAM - DDR3L
მეხსიერების ზომა : 4Gb (512M x 8)
საათის სიხშირე : 933MHz
დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი : -
წვდომის დრო : 20ns
მეხსიერების ინტერფეისი : Parallel
ძაბვა - მიწოდება : 1.283V ~ 1.45V
ოპერაციული ტემპერატურა : 0°C ~ 95°C (TC)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : 78-TFBGA
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : 78-FBGA (8x10.5)

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • AT28HC256E-12SU-T

    Microchip Technology

    IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 120NS, SOIC, IND TEMP, GREEN

  • AT28BV256-20SU

    Microchip Technology

    IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 256K 2.7V - 3.6V SDP- 200NS IND TEMP

  • AT28C256-15SU

    Microchip Technology

    IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 256K 11MIL GRIND 150NS IND TEMP

  • AT28HC256E-90SU-T

    Microchip Technology

    IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 90NS, SOIC, IND TEMP, GREEN

  • AT28HC256-12SU-T

    Microchip Technology

    IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 120NS, SOIC, IND TEMP, GREEN

  • W29N04GVBIAF

    Winbond Electronics

    IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA. NAND Flash 4G-bit NAND flash, 3V, 4-bit ECC, 3V, x8