IXYS - IXFH36N55Q2

KEY Part #: K6408717

IXFH36N55Q2 ფასები (აშშ დოლარი) [6522ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$6.98518
  • 30 pcs$6.95043

Ნაწილი ნომერი:
IXFH36N55Q2
მწარმოებელი:
IXYS
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 550V 36A TO-247.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, ტირისტორები - სკკ, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, Thististors - SCRs - მოდულები, ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი and დიოდები - ხიდის გასწორება ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in IXYS IXFH36N55Q2 electronic components. IXFH36N55Q2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFH36N55Q2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFH36N55Q2 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : IXFH36N55Q2
მწარმოებელი : IXYS
აღწერა : MOSFET N-CH 550V 36A TO-247
სერიები : HiPerFET™
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 550V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 36A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 180 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 4mA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 110nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±30V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 4100pF @ 25V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 560W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : TO-247AD (IXFH)
პაკეტი / საქმე : TO-247-3

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ