Ნაწილი ნომერი :
RN1103MFV,L3F
მწარმოებელი :
Toshiba Semiconductor and Storage
აღწერა :
TRANS PREBIAS NPN 150MW VESM
ტრანზისტორი ტიპი :
NPN - Pre-Biased
მიმდინარე - კოლექციონერი (Ic) (მაქსიმალური) :
100mA
ვოლტაჟი - კოლექციონერის გამანაწილებელი ავარია (მაქსიმალური) :
50V
რეზისტორული ბაზა (R1) :
22 kOhms
რეზისტორული - ემიტერის ბაზა (R2) :
22 kOhms
DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce :
70 @ 10mA, 5V
Vce სატურაცია (მაქს) @ Ib, Ic :
300mV @ 500µA, 5mA
მიმდინარე - კოლექციონერის შეწყვეტა (მაქსიმალური) :
500nA
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
VESM