Vishay Siliconix - SQM47N10-24L_GE3

KEY Part #: K6399255

SQM47N10-24L_GE3 ფასები (აშშ დოლარი) [69584ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.56193
  • 800 pcs$0.50575

Ნაწილი ნომერი:
SQM47N10-24L_GE3
მწარმოებელი:
Vishay Siliconix
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 100V 47A TO263.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, ტირისტორები - სკკ, დიოდები - გასწორება - მასივები, დიოდები - RF, Thististors - DIACs, SIDACs, დიოდები - ხიდის გასწორება and ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Vishay Siliconix SQM47N10-24L_GE3 electronic components. SQM47N10-24L_GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SQM47N10-24L_GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SQM47N10-24L_GE3 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : SQM47N10-24L_GE3
მწარმოებელი : Vishay Siliconix
აღწერა : MOSFET N-CH 100V 47A TO263
სერიები : TrenchFET®
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 100V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 47A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 24 mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 72nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±20V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 3620pF @ 25V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 136W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 175°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : TO-263 (D2Pak)
პაკეტი / საქმე : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • VN1206L-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 120V 0.23A TO92-3.

  • VN10KN3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 310MA TO92-3.

  • R6008FNX

    Rohm Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 8A TO-220FM.

  • IRFI614GPBF

    Vishay Siliconix

    MOSFET N-CH 250V 2.1A TO220FP.

  • IRF3805STRL-7PP

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 160A D2PAK-7.

  • IRFS3006TRL7PP

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 60V 240A D2PAK7.