Infineon Technologies - IRF9530NSTRRPBF

KEY Part #: K6420037

IRF9530NSTRRPBF ფასები (აშშ დოლარი) [153686ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.25693
  • 800 pcs$0.25565

Ნაწილი ნომერი:
IRF9530NSTRRPBF
მწარმოებელი:
Infineon Technologies
Დეტალური აღწერა:
MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტირისტორები - TRIACs, დიოდები - ზენერი - მასივები, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - JFET, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, დიოდები - გასწორება - მასივები and დიოდები - RF ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Infineon Technologies IRF9530NSTRRPBF electronic components. IRF9530NSTRRPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF9530NSTRRPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRF9530NSTRRPBF პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : IRF9530NSTRRPBF
მწარმოებელი : Infineon Technologies
აღწერა : MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK
სერიები : HEXFET®
ნაწილის სტატუსი : Not For New Designs
FET ტიპი : P-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 100V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 14A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 200 mOhm @ 8.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 58nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±20V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 760pF @ 25V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 3.8W (Ta), 79W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 175°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : D2PAK
პაკეტი / საქმე : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ