Vishay Semiconductor Diodes Division - SS10P5HM3_A/H

KEY Part #: K6444589

SS10P5HM3_A/H ფასები (აშშ დოლარი) [206480ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.17913
  • 1,500 pcs$0.16445

Ნაწილი ნომერი:
SS10P5HM3_A/H
მწარმოებელი:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Დეტალური აღწერა:
DIODE SCHOTTKY 50V 7A TO277A.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - JFET, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, დიოდები - RF, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები and ტირისტორები - სკკ ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division SS10P5HM3_A/H electronic components. SS10P5HM3_A/H can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SS10P5HM3_A/H, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SS10P5HM3_A/H პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : SS10P5HM3_A/H
მწარმოებელი : Vishay Semiconductor Diodes Division
აღწერა : DIODE SCHOTTKY 50V 7A TO277A
სერიები : Automotive, AEC-Q101
ნაწილის სტატუსი : Active
დიოდის ტიპი : Schottky
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 50V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 7A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 670mV @ 7A
სიჩქარე : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) : -
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 150µA @ 50V
Capacitance @ Vr, F : 560pF @ 4V, 1MHz
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : TO-277, 3-PowerDFN
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : TO-277A (SMPC)
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -55°C ~ 150°C

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ