Global Power Technologies Group - GHXS015A120S-D1E

KEY Part #: K6538034

GHXS015A120S-D1E ფასები (აშშ დოლარი) [1648ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$29.77166
  • 10 pcs$28.02038

Ნაწილი ნომერი:
GHXS015A120S-D1E
მწარმოებელი:
Global Power Technologies Group
Დეტალური აღწერა:
BRIDGE RECT 1P 1.2KV 15A SOT227.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ, ტრანზისტორები - JFET, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, ტირისტორები - სკკ and ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Global Power Technologies Group GHXS015A120S-D1E electronic components. GHXS015A120S-D1E can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GHXS015A120S-D1E, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

GHXS015A120S-D1E პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : GHXS015A120S-D1E
მწარმოებელი : Global Power Technologies Group
აღწერა : BRIDGE RECT 1P 1.2KV 15A SOT227
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
დიოდის ტიპი : Single Phase
ტექნოლოგია : Silicon Carbide Schottky
ვოლტაჟი - მწვერვალის უკუ (მაქსიმალური) : 1.2kV
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 15A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1.7V @ 15A
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 100µA @ 1200V
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Chassis Mount
პაკეტი / საქმე : SOT-227-4, miniBLOC
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : SOT-227

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • RMB2S-E3/80

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    BRIDGE RECT 3P 200V TO269AA. Bridge Rectifiers 0.5 Amp 200 Volt

  • B6M-E3/45

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    BRIDGE RECT 1P 600V 500MA MBM. Bridge Rectifiers 0.5 Amp 600 Volt

  • B4M-E3/45

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    BRIDGE RECT 1P 400V 500MA MBM. Bridge Rectifiers 0.5 Amp 400 Volt

  • MB2M-E3/45

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    BRIDGE RECT 1P 200V 500MA MBM. Bridge Rectifiers 200 Volt 0.5 Amp 35 Amp IFSM

  • TS25P02G C2G

    Taiwan Semiconductor Corporation

    BRIDGE RECT 1P 100V 25A TS-6P.

  • TS25P07GHC2G

    Taiwan Semiconductor Corporation

    BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 25A TS-6P.