GeneSiC Semiconductor - MURTA20020

KEY Part #: K6468487

Დეტალური აღწერა:: DIODE GEN PURP 200V 100A 3 TOWER. Rectifiers 200V 200A Si Super Fast Recovery

ოჯახის კატეგორიები:: KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, Thististors - DIACs, SIDACs, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, ტირისტორები - სკკ, ტრანზისტორები - JFET, Thististors - SCRs - მოდულები and დიოდები - ხიდის გასწორება ...

Კონკურენტული უპირატესობა:: We specialize in GeneSiC Semiconductor MURTA20020 electronic components. MURTA20020 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MURTA20020, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

Ნაწილი ნომერი : MURTA20020

მწარმოებელი : GeneSiC Semiconductor

აღწერა : DIODE GEN PURP 200V 100A 3 TOWER

სერიები : -

ნაწილის სტატუსი : Active

დიოდური კონფიგურაცია : 1 Pair Common Cathode

დიოდის ტიპი : Standard

ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 200V

მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (თითო დიოდზე) : 100A

ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1.3V @ 100A

სიჩქარე : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

უკუ აღდგენის დრო (trr) : -

მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 25µA @ 200V

ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -55°C ~ 150°C

სამონტაჟო ტიპი : Chassis Mount

პაკეტი / საქმე : Three Tower

მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : Three Tower

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ

LQA10N150C

Power Integrations

DIODE CC 150V 5A DUAL TO252. Rectifiers 150V, Dual, 5A Ultra-Low Qrr Rect
BF1212WR,115

NXP USA Inc.

MOSFET N-CH DUAL GATE 6V SOT343R.
BF1217WR,115

NXP USA Inc.

MOSFET N-CH DUAL SOT343R.
MMBF5485

ON Semiconductor

JFET N-CH 25V 10MA SOT23.
MMBFJ211

ON Semiconductor

JFET N-CH 25V 20MA SOT23.
MMBF4416

ON Semiconductor

JFET N-CH 30V 15MA SOT23.

ცხელი ნაწილები