Transphorm - TP65H035WSQA

KEY Part #: K6396073

TP65H035WSQA ფასები (აშშ დოლარი) [4296ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$10.08141

Ნაწილი ნომერი:
TP65H035WSQA
მწარმოებელი:
Transphorm
Დეტალური აღწერა:
GANFET N-CH 650V 47A TO247-3.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, ტირისტორები - TRIACs, დიოდები - RF, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, დიოდები - გასწორება - მასივები and დიოდები - ზენერი - მასივები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Transphorm TP65H035WSQA electronic components. TP65H035WSQA can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TP65H035WSQA, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TP65H035WSQA პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : TP65H035WSQA
მწარმოებელი : Transphorm
აღწერა : GANFET N-CH 650V 47A TO247-3
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : GaNFET (Gallium Nitride)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 650V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 47A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 41 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.8V @ 1mA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 36nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±20V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 1500pF @ 400V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 187W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 175°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : TO-247
პაკეტი / საქმე : TO-247-3

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ