Microsemi Corporation - JANTXV1N914UR

KEY Part #: K6442371

[3156ცალი საფონდო]


    Ნაწილი ნომერი:
    JANTXV1N914UR
    მწარმოებელი:
    Microsemi Corporation
    Დეტალური აღწერა:
    DIODE GEN PURP 75V 200MA DO213AA.
    Manufacturer's standard lead time:
    Საწყობში
    შენახვის ვადა:
    Ერთი წელი
    ჩიპი From:
    ჰონგ კონგი
    RoHS:
    Გადახდის საშუალება:
    გადაზიდვის გზა:
    ოჯახის კატეგორიები:
    KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, დენის მართვის მოდული, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების and ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა ...
    Კონკურენტული უპირატესობა:
    We specialize in Microsemi Corporation JANTXV1N914UR electronic components. JANTXV1N914UR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JANTXV1N914UR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    JANTXV1N914UR პროდუქტის ატრიბუტები

    Ნაწილი ნომერი : JANTXV1N914UR
    მწარმოებელი : Microsemi Corporation
    აღწერა : DIODE GEN PURP 75V 200MA DO213AA
    სერიები : Military, MIL-PRF-19500/116
    ნაწილის სტატუსი : Discontinued at Digi-Key
    დიოდის ტიპი : Standard
    ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 75V
    მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 200mA
    ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1.2V @ 50mA
    სიჩქარე : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    უკუ აღდგენის დრო (trr) : 20ns
    მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 500nA @ 75V
    Capacitance @ Vr, F : 2.8pF @ 1.5V, 1MHz
    სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
    პაკეტი / საქმე : DO-213AA
    მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : DO-213AA
    ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -65°C ~ 175°C

    Უახლესი ცნობები

    თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
    • RJU6052SDPD-E0#J2

      Renesas Electronics America

      DIODE GEN PURP 600V 20A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 600V/10A/25ns Trr/TO-252

    • RJU4352SDPD-E0#J2

      Renesas Electronics America

      DIODE GEN PURP 430V 20A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 430V/20A/23ns Trr/TO-252

    • RJU3052SDPD-E0#J2

      Renesas Electronics America

      DIODE GEN PURP 360V 20A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 360V/20A/40ns Trr/TO-252

    • UD0506T-TL-H

      ON Semiconductor

      DIODE GEN PURP 600V 5A TPFA. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 5A 600V LOW VF

    • RD0306T-TL-H

      ON Semiconductor

      DIODE GEN PURP 600V 3A TPFA.

    • MBRB7H60HE3/81

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE SCHOTTKY 60V 7.5A TO263AB.