Alliance Memory, Inc. - AS4C64M16D2A-25BIN

KEY Part #: K938083

AS4C64M16D2A-25BIN ფასები (აშშ დოლარი) [19113ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$2.39741
  • 10 pcs$2.18896
  • 25 pcs$2.14709
  • 50 pcs$2.13246
  • 100 pcs$1.91295
  • 250 pcs$1.90559
  • 500 pcs$1.78664
  • 1,000 pcs$1.71062

Ნაწილი ნომერი:
AS4C64M16D2A-25BIN
მწარმოებელი:
Alliance Memory, Inc.
Დეტალური აღწერა:
IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA. DRAM 1G, 1.8V, 64M x 16 DDR2 I Temp
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: IC ჩიპები, აუდიო სპეციალური დანიშნულების, PMIC - დრაივერების ჩვენება, მეხსიერება - კონტროლერები, ჩაშენებული - FPGAs (საველე პროგრამირებადი კარიბჭის, PMIC - დენის Ethernet (PoE) კონტროლერები, ინტერფეისი - მოდემი - IC და მოდულები and ინტერფეისი - სიგნალის ტერმინატორები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Alliance Memory, Inc. AS4C64M16D2A-25BIN electronic components. AS4C64M16D2A-25BIN can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for AS4C64M16D2A-25BIN, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

AS4C64M16D2A-25BIN პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : AS4C64M16D2A-25BIN
მწარმოებელი : Alliance Memory, Inc.
აღწერა : IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
მეხსიერების ტიპი : Volatile
მეხსიერების ფორმატი : DRAM
ტექნოლოგია : SDRAM - DDR2
მეხსიერების ზომა : 1Gb (64M x 16)
საათის სიხშირე : 400MHz
დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი : 15ns
წვდომის დრო : 400ps
მეხსიერების ინტერფეისი : Parallel
ძაბვა - მიწოდება : 1.7V ~ 1.9V
ოპერაციული ტემპერატურა : -40°C ~ 95°C (TC)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : 84-TFBGA
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : 84-FBGA (8x12.5)

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • GD25S512MDFIGR

    GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

    NOR FLASH.

  • TC58BYG2S0HBAI4

    Toshiba Memory America, Inc.

    4GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 EE. NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)

  • S29GL512T11DHIV23

    Cypress Semiconductor Corp

    IC FLASH 512M PARALLEL 64FBGA. NOR Flash NOR

  • S29GL512S11DHIV23

    Cypress Semiconductor Corp

    IC FLASH 512M PARALLEL 64FBGA. NOR Flash Nor

  • S34MS01G104BHV013

    Cypress Semiconductor Corp

    IC FLASH 1G PARALLEL 63BGA.

  • S34MS01G100BHI900

    Cypress Semiconductor Corp

    IC FLASH 1G PARALLEL 63BGA.