ON Semiconductor - NTD4979N-35G

KEY Part #: K6393949

NTD4979N-35G ფასები (აშშ დოლარი) [357223ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.10354
  • 2,175 pcs$0.09441

Ნაწილი ნომერი:
NTD4979N-35G
მწარმოებელი:
ON Semiconductor
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 30V 9.4A IPAK TRIMME.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: Thististors - SCRs - მოდულები, დიოდები - ხიდის გასწორება, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, ტირისტორები - TRIACs, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, დიოდები - ზენერი - მასივები, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF and ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in ON Semiconductor NTD4979N-35G electronic components. NTD4979N-35G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NTD4979N-35G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NTD4979N-35G პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : NTD4979N-35G
მწარმოებელი : ON Semiconductor
აღწერა : MOSFET N-CH 30V 9.4A IPAK TRIMME
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 30V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 9.4A (Ta), 41A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 9 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 16.5nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±20V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 837pF @ 15V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 1.38W (Ta), 26.3W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 175°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : I-PAK
პაკეტი / საქმე : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ