Vishay Semiconductor Diodes Division - VS-180RKI80PBF

KEY Part #: K6458694

VS-180RKI80PBF ფასები (აშშ დოლარი) [1546ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$26.68145
  • 10 pcs$25.06360
  • 25 pcs$24.25524
  • 100 pcs$22.47644

Ნაწილი ნომერი:
VS-180RKI80PBF
მწარმოებელი:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Დეტალური აღწერა:
MOD SCR PH CTRL 800V 180A TO-93. SCRs 180 Amp 800 Volt 285 Amp IT(RMS)
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: Thististors - DIACs, SIDACs, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, დიოდები - ხიდის გასწორება, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, ტირისტორები - სკკ and დიოდები - გასწორება - მასივები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division VS-180RKI80PBF electronic components. VS-180RKI80PBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VS-180RKI80PBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VS-180RKI80PBF პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : VS-180RKI80PBF
მწარმოებელი : Vishay Semiconductor Diodes Division
აღწერა : MOD SCR PH CTRL 800V 180A TO-93
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
ძაბვა - გამორთული სახელმწიფო : 800V
ვოლტაჟი - Gate Trigger (Vgt) (Max) : 2.5V
მიმდინარე - Gate Trigger (Igt) (მაქსიმალური) : 150mA
ძაბვა - სახელმწიფოზე (ვტმ) (მაქს) : 1.35V
მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური) : 180A
მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური) : 285A
მიმდინარე - გამართავს (Ih) (მაქსიმალური) : 600mA
მიმდინარე - გამორთული სახელმწიფო (მაქსიმალური) : 30mA
ამჟამინდელი - 50 – დან 60 ჰერცირზე მეტი სიჩქარე (მისი სიჩქარე) : 3800A, 4000A
SCR ტიპი : Standard Recovery
ოპერაციული ტემპერატურა : -40°C ~ 125°C
სამონტაჟო ტიპი : Chassis, Stud Mount
პაკეტი / საქმე : TO-209AB, TO-93-4, Stud
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : TO-209AB (TO-93)

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • BAT54T

    ON Semiconductor

    DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT523. Schottky Diodes & Rectifiers 0.2A,30V,Surf Mt SCHOTTKY Barr DIODE

  • BAS21E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode

  • BAS116E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode

  • BAR74E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 50V 250MA SOT23-3.

  • BAL99E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Tuning Diode

  • BAL99E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Tuning Diode