Ნაწილი ნომერი :
PMV160UPVL
მწარმოებელი :
Nexperia USA Inc.
აღწერა :
MOSFET P-CH 20V 1.2A TO236AB
ტექნოლოგია :
MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
20V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
1.2A (Ta)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) :
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
210 mOhm @ 1.2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
950mV @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
4nC @ 4.5V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
365pF @ 10V
დენის დაშლა (მაქსიმალური) :
335mW (Ta)
ოპერაციული ტემპერატურა :
-55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
TO-236AB
პაკეტი / საქმე :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3