Ნაწილი ნომერი :
FCH165N65S3R0-F155
მწარმოებელი :
ON Semiconductor
აღწერა :
SF3 650V 165MOHM E TO247L
ტექნოლოგია :
MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
650V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
19A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
165 mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 1.9mA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
39nC @ 10V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
1500pF @ 400V
დენის დაშლა (მაქსიმალური) :
154W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა :
-55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Through Hole
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
TO-247-3
პაკეტი / საქმე :
TO-247-3