Global Power Technologies Group - GHXS030A120S-D1

KEY Part #: K6538402

GHXS030A120S-D1 ფასები (აშშ დოლარი) [810ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$57.27744
  • 10 pcs$53.69760
  • 25 pcs$51.19171
  • 100 pcs$48.32784

Ნაწილი ნომერი:
GHXS030A120S-D1
მწარმოებელი:
Global Power Technologies Group
Დეტალური აღწერა:
BRIDGE RECT 1P 1.2KV 30A SOT227.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, Thististors - SCRs - მოდულები, დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ, ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების, დიოდები - გასწორება - მასივები and დენის მართვის მოდული ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Global Power Technologies Group GHXS030A120S-D1 electronic components. GHXS030A120S-D1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GHXS030A120S-D1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

GHXS030A120S-D1 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : GHXS030A120S-D1
მწარმოებელი : Global Power Technologies Group
აღწერა : BRIDGE RECT 1P 1.2KV 30A SOT227
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
დიოდის ტიპი : Single Phase
ტექნოლოგია : Silicon Carbide Schottky
ვოლტაჟი - მწვერვალის უკუ (მაქსიმალური) : 1.2kV
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 30A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1.7V @ 30A
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 200µA @ 1200V
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 175°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Chassis Mount
პაკეტი / საქმე : SOT-227-4, miniBLOC
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : SOT-227

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • CPC7557N

    IXYS Integrated Circuits Division

    BRIDGE RECT 1P 120V 250MA 8SOIC.

  • CPC7556NTR

    IXYS Integrated Circuits Division

    BRIDGE RECT 1P 120V 250MA 8SOIC.

  • GBPC5004 T0G

    Taiwan Semiconductor Corporation

    BRIDGE RECT 1P 400V 50A GBPC40. Bridge Rectifiers 50A, 400V, G.P., SQ.BRIDGE RECTIFIER, FASTON

  • GBPC4008M T0G

    Taiwan Semiconductor Corporation

    BRIDGE RECT 1P 800V 40A GBPC40-M. Bridge Rectifiers 40A, 800V, G.P., SQ.BRIDGE RECTIFIER, FASTON

  • GBPC3510W T0G

    Taiwan Semiconductor Corporation

    BRIDGE RECT 1P 1KV 35A GBPC-W. Bridge Rectifiers 35A, 1000V, G.P., SQ.BRIDGE RECTIFIER, WIRE

  • GBPC2508M T0G

    Taiwan Semiconductor Corporation

    BRIDGE RECT 1P 800V 25A GBPC-M. Bridge Rectifiers 25A, 800V, G.P., SQ.BRIDGE RECTIFIER, FASTON