MT41K128M16JT-125:K TR ფასები (აშშ დოლარი) [23383ცალი საფონდო]
- 1 pcs$2.42905
- 2,000 pcs$2.41697
- Ნაწილი ნომერი:
- MT41K128M16JT-125:K TR
- მწარმოებელი:
- Micron Technology Inc.
- Დეტალური აღწერა:
- IC DRAM 2G PARALLEL 96FBGA. DRAM DDR3 2G 128MX16 FBGA
- Manufacturer's standard lead time:
- Საწყობში
- შენახვის ვადა:
- Ერთი წელი
- ჩიპი From:
- ჰონგ კონგი
- RoHS:
- Გადახდის საშუალება:
-
- გადაზიდვის გზა:
- ოჯახის კატეგორიები:
- KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ლოგიკა - შემსრულებლები, PMIC - ბატარეის დამტენები, ჩაშენებული - CPLDs (რთული პროგრამირებადი ლოგიკური , ლოგიკა - მულტივიბრატორი, ინტერფეისი - შიფრატორები, დეკოდიერები, გადამყვანი, ჩაშენებული - FPGAs (საველე პროგრამირებადი კარიბჭის, მონაცემთა შეძენა - ADC / DAC - სპეციალური დანიშნულ and PMIC - PFC (დენის ფაქტორების კორექტირება) ...
- Კონკურენტული უპირატესობა:
- We specialize in Micron Technology Inc. MT41K128M16JT-125:K TR electronic components. MT41K128M16JT-125:K TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MT41K128M16JT-125:K TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
MT41K128M16JT-125:K TR პროდუქტის ატრიბუტები
Ნაწილი ნომერი :
MT41K128M16JT-125:K TR
მწარმოებელი :
Micron Technology Inc.
აღწერა :
IC DRAM 2G PARALLEL 96FBGA
სერიები :
-
ნაწილის სტატუსი :
Active
მეხსიერების ტიპი :
Volatile
მეხსიერების ფორმატი :
DRAM
ტექნოლოგია :
SDRAM - DDR3L
მეხსიერების ზომა :
2Gb (128M x 16)
საათის სიხშირე :
800MHz
დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი :
-
წვდომის დრო :
13.75ns
მეხსიერების ინტერფეისი :
Parallel
ძაბვა - მიწოდება :
1.283V ~ 1.45V
ოპერაციული ტემპერატურა :
0°C ~ 95°C (TC)
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
პაკეტი / საქმე :
96-TFBGA
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
96-FBGA (8x14)
Უახლესი ცნობები
თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
-
MR25H256CDCR
Everspin Technologies Inc.
IC RAM 256K SPI 40MHZ 8DFN. NVRAM 256Kb 3V 32Kx8 Serial MRAM
-
7164S20TPGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 64K PARALLEL 28DIP. SRAM 64K(8KX8) BICMOS STAT RAM
-
6116SA15TPG
IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 16K PARALLEL 24DIP. SRAM 16K Asynch. 2Kx8 HS, L-Pwr, SRAM
-
W29N02GVBIAA
Winbond Electronics
IC FLASH 2G PARALLEL 63FBGA. NAND Flash 2G-bit NAND flash, 3V x 8bit
-
W978H6KBVX2E
Winbond Electronics
IC DRAM 256M PARALLEL 134VFBGA. DRAM 256Mb LPDDR2, x16, 400MHz, -25 85C
-
ცხელი ნაწილები
- MT46V32M16P-75:C
- MT28F800B3SG-9 T TR
- AT24C64AN-10SI-2.7-T
- AT49LV002N-70VI
- CY7C028-15AC
- AT25128N-10SI-1.8
- S29GL128N10FFI020
- MT53B384M32D2NK-062 WT ES:B TR
- MT53B512M64D4PV-053 WT ES:C
- 71V30VL90TF8
- 93C46B/W15K
- 93C46B-I/W15K
- 24AA16-I/W16K
- S99FL164KMI00
- A2C00045230 A
- IS65WV25616DBLL-45CTLA1
- MT49H32M18CSJ-25E IT:B
- IS62WV6416DBLL-45BLI
- IS61NVP51236-200B3LI
- M25P128-VME6GB
- N25Q512A83GSF40F TR
- MT48LC8M16A2P-7E IT:L
- MT29C1G12MAAIVAMD-5 IT
- MT29E256G08CMCABJ2-10Z:A TR
- W25Q16CVSFIG TR
- MX25U6435EZNI-12G
- MT29C8G48MAZAPBJA-5 IT
- MT47H128M8JN-3 IT:H
- MT47H128M8CF-25E:H
- SST39SF020A-45-4I-WHE
- STK11C68-L35
- JS28F00AP33BF0
- IDT71V416VS15YG
- 71V321S25J8
- 70V9199L9PF
- 7024L20PF8
- CY7C1412BV18-250BZXC
- CY7C1460AV25-167BZXI
- CY7C1360C-166BZI
- M29F040B90N1T TR
选择你的位置