ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS43R16160D-5BLI-TR

KEY Part #: K938125

Დეტალური აღწერა:: IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA. DRAM 256M (16Mx16) 200MHz DDR 2.5v

ოჯახის კატეგორიები:: KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ინტერფეისი - სიგნალის ტერმინატორები, მონაცემთა შეძენა - ციფრული გადამყვანების ანალოგები, PMIC - ლაზერული დრაივერი, PMIC - დრაივერების ჩვენება, ინტერფეისი - სენსორი, capacitive შეხება, მეხსიერება, PMIC - მძღოლები, კონტროლერები and საათი / დრო - საათის ბუფერები, მძღოლები ...

Კონკურენტული უპირატესობა:: We specialize in ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R16160D-5BLI-TR electronic components. IS43R16160D-5BLI-TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IS43R16160D-5BLI-TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

Ნაწილი ნომერი : IS43R16160D-5BLI-TR

მწარმოებელი : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

აღწერა : IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA

სერიები : -

ნაწილის სტატუსი : Active

მეხსიერების ტიპი : Volatile

მეხსიერების ფორმატი : DRAM

ტექნოლოგია : SDRAM - DDR

მეხსიერების ზომა : 256Mb (16M x 16)

საათის სიხშირე : 200MHz

დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი : 15ns

წვდომის დრო : 700ps

მეხსიერების ინტერფეისი : Parallel

ძაბვა - მიწოდება : 2.3V ~ 2.7V

ოპერაციული ტემპერატურა : -40°C ~ 85°C (TA)

სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount

პაკეტი / საქმე : 60-TFBGA

მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : 60-TFBGA (8x13)

Silicom MinnowBoard Turbot

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ

GD25S512MDFIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

NOR FLASH.
71V3576S150PFGI

IDT, Integrated Device Technology Inc

IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP.
71V3577S75PFGI

IDT, Integrated Device Technology Inc

IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 4M 3.3V I/O PBSRAM SLOW X
TC58BYG2S0HBAI4

Toshiba Memory America, Inc.

4GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 EE. NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
TC58BVG2S0HBAI4

Toshiba Memory America, Inc.

IC FLASH 4G PARALLEL 63TFBGA. NAND Flash 3.3V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
TC58NVG2S0HBAI4

Toshiba Memory America, Inc.

IC FLASH 4G PARALLEL 63TFBGA. NAND Flash 3.3V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)

ცხელი ნაწილები