თუ თქვენი ადგილმდებარეობა არ არის ჩამოთვლილი, აირჩიეთ შემდეგი ქვემოთ:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

თუ თქვენი ადგილმდებარეობა არ არის ჩამოთვლილი, აირჩიეთ შემდეგი ქვემოთ:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. მთავარი
  2. პროდუქტები
  3. დისკრეტული ნახევარგამტარული პროდუქტები
  4. ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები
  5. QJD1210011

Powerex Inc. - QJD1210011

KEY Part #: K6523720

[4666ცალი საფონდო]

    Ნაწილი ნომერი:
    QJD1210011
    მწარმოებელი:
    Powerex Inc.
    Დეტალური აღწერა:
    MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC.
    Manufacturer's standard lead time:
    Საწყობში
    შენახვის ვადა:
    Ერთი წელი
    ჩიპი From:
    ჰონგ კონგი
    RoHS:
    Გადახდის საშუალება:
    გადაზიდვის გზა:
    ოჯახის კატეგორიები:
    KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, დიოდები - გასწორება - მასივები, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ, დიოდები - RF and ტრანზისტორები - JFET ...
    Კონკურენტული უპირატესობა:
    We specialize in Powerex Inc. QJD1210011 electronic components. QJD1210011 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for QJD1210011, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    QJD1210011 პროდუქტის ატრიბუტები

    Ნაწილი ნომერი : QJD1210011
    მწარმოებელი : Powerex Inc.
    აღწერა : MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC
    სერიები : -
    ნაწილის სტატუსი : Active
    FET ტიპი : 2 N-Channel (Dual)
    FET თვისება : Silicon Carbide (SiC)
    გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 1200V (1.2kV)
    მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 100A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 25 mOhm @ 100A, 20V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 10mA
    კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 500nC @ 20V
    შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 10200pF @ 800V
    ძალა - მაქსიმუმი : 900W
    ოპერაციული ტემპერატურა : -40°C ~ 175°C (TJ)
    სამონტაჟო ტიპი : Chassis Mount
    პაკეტი / საქმე : Module
    მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : Module
    თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
    • PMGD175XN,115

      NXP USA Inc.

      MOSFET 2N-CH 30V 0.9A 6TSSOP.

    • STC6NF30V

      STMicroelectronics

      MOSFET 2N-CH 30V 6A 8-TSSOP.

    • AO8822#A

      Alpha & Omega Semiconductor Inc.

      MOSFET 2N-CH 20V 7A 8-TSSOP.

    • AO8814#A

      Alpha & Omega Semiconductor Inc.

      MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8TSSOP.

    • AO8810#A

      Alpha & Omega Semiconductor Inc.

      MOSFET 2N-CH 20V 7A 8-TSSOP.

    • AO8804_100

      Alpha & Omega Semiconductor Inc.

      MOSFET 2N-CH 20V.

    ცხელი ნაწილები