IXYS - IXBN75N170

KEY Part #: K6532743

IXBN75N170 ფასები (აშშ დოლარი) [1347ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$33.81912
  • 10 pcs$33.65087

Ნაწილი ნომერი:
IXBN75N170
მწარმოებელი:
IXYS
Დეტალური აღწერა:
IGBT BIMOSFET 1700V 145A SOT227B.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების, დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, დიოდები - ზენერი - მასივები and დენის მართვის მოდული ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in IXYS IXBN75N170 electronic components. IXBN75N170 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXBN75N170, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXBN75N170 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : IXBN75N170
მწარმოებელი : IXYS
აღწერა : IGBT BIMOSFET 1700V 145A SOT227B
სერიები : BIMOSFET™
ნაწილის სტატუსი : Active
IGBT ტიპი : -
კონფიგურაცია : Single
ვოლტაჟი - კოლექციონერის გამანაწილებელი ავარია (მაქსიმალური) : 1700V
მიმდინარე - კოლექციონერი (Ic) (მაქსიმალური) : 145A
ძალა - მაქსიმუმი : 625W
Vce (ჩართულია) (Max) @ Vge, Ic : 3.1V @ 15V, 75A
მიმდინარე - კოლექციონერის შეწყვეტა (მაქსიმალური) : 25µA
შეყვანის სიმძლავრე (ცდის) @ Vce : 6.93nF @ 25V
შეყვანა : Standard
NTC თერმოსტორი : No
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Chassis Mount
პაკეტი / საქმე : SOT-227-4, miniBLOC
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : SOT-227B

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • VS-GB90SA120U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    TRANSISTOR INSLTED GATE BIPOLAR.

  • VS-GB90DA60U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    TRANSISTOR INSLTED GATE BIPOLAR.

  • CPV362M4K

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 31 IMS-2.

  • CPV362M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 3.9A IMS-2.

  • CPV363M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 6.8A IMS-2.

  • VS-GB75NA60UF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 600V 70A HS CHOPPER SOT-227. Rectifiers Output & SW Modules SOT-227 IGBT