GPA802 C0G ფასები (აშშ დოლარი) [403109ცალი საფონდო]
- 1 pcs$0.09176
- Ნაწილი ნომერი:
- GPA802 C0G
- მწარმოებელი:
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Დეტალური აღწერა:
- DIODE GEN PURP 100V 8A TO220AC.
- Manufacturer's standard lead time:
- Საწყობში
- შენახვის ვადა:
- Ერთი წელი
- ჩიპი From:
- ჰონგ კონგი
- RoHS:
- Გადახდის საშუალება:
-
- გადაზიდვის გზა:
- ოჯახის კატეგორიები:
- KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, დიოდები - ზენერი - მასივები, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, ტირისტორები - სკკ, დიოდები - გასწორება - მასივები and ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF ...
- Კონკურენტული უპირატესობა:
- We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation GPA802 C0G electronic components. GPA802 C0G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GPA802 C0G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
GPA802 C0G პროდუქტის ატრიბუტები
Ნაწილი ნომერი :
GPA802 C0G
მწარმოებელი :
Taiwan Semiconductor Corporation
აღწერა :
DIODE GEN PURP 100V 8A TO220AC
სერიები :
-
ნაწილის სტატუსი :
Active
დიოდის ტიპი :
Standard
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) :
100V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) :
8A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ :
1.1V @ 8A
სიჩქარე :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) :
-
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr :
5µA @ 100V
Capacitance @ Vr, F :
50pF @ 4V, 1MHz
სამონტაჟო ტიპი :
Through Hole
პაკეტი / საქმე :
TO-220-2
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
TO-220AC
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება :
-55°C ~ 150°C
Უახლესი ცნობები
თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
-
SB230-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 30V 2A DO204AC. Schottky Diodes & Rectifiers 30 Volt 2.0 Amp 60 Amp IFSM
-
AR3PJHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE AVALANCHE 600V 1.8A TO277A. Rectifiers 3A,600V, SMPC,Fast Recovery, Avalanche
-
V8P10HM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 100V 8A TO277A. Schottky Diodes & Rectifiers 8A, 100V, SMPC, TRENCH SKY RECT.
-
V8P6HM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 60V 8A TO277A. Schottky Diodes & Rectifiers 8A, 60V, SMPC AEC-Q101 Qualified
-
V12P15-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 150V 12A TO277A. Schottky Diodes & Rectifiers 150V 12A Single Die SMPC (TO-277A)
-
V15PM12HM3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 120V 15A TO277A. Schottky Diodes & Rectifiers 120V SMPC (TO-277A) AEC-Q101 Qualified
ცხელი ნაწილები
- APT10SCE120B
- MBR3100VP-G1
- FR206TA
- CMR3U-04 BK
- CMR3U-01 BK
- VS-18TQ035SPBF
- BAY80-TAP
- SS3H10HE3_A/H
- VS-6TQ035STRRPBF
- BAS1602WH6327XTSA1
- APT20SCD120B
- MBRF750HE3/45
- STPS30SM60D
- S5JHE3/9AT
- 1N3743G R G
- SR304-T-F
- GPP60D-E3/54
- 20ETF12FP
- DGP30HE3/54
- S3520
- MX1H5615
- MA3X028TAL
- USD245
- D6025L
- RK 14V1
- STTH8L06DIRG
- 1N5293UR-1
- 1N4002RL
- 20ETF02STRR
- UF4007 TR
- BY329-1200,127
- S1G-F
- 1F1-TP
- UF5406-AP
- 1N649UR-1
- FESF16HTHE3/45
- FES8AT-E3/45
- RP 3FV4
- RFN5BM2SFHTL
- BAS283-GS18
选择你的位置