Infineon Technologies - IPU80R1K4CEBKMA1

KEY Part #: K6402750

[2595ცალი საფონდო]


    Ნაწილი ნომერი:
    IPU80R1K4CEBKMA1
    მწარმოებელი:
    Infineon Technologies
    Დეტალური აღწერა:
    MOSFET N-CH 800V 3.9A TO251-3.
    Manufacturer's standard lead time:
    Საწყობში
    შენახვის ვადა:
    Ერთი წელი
    ჩიპი From:
    ჰონგ კონგი
    RoHS:
    Გადახდის საშუალება:
    გადაზიდვის გზა:
    ოჯახის კატეგორიები:
    KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, დიოდები - ხიდის გასწორება, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, Thististors - DIACs, SIDACs, დიოდები - გასწორება - მასივები, ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების and ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები ...
    Კონკურენტული უპირატესობა:
    We specialize in Infineon Technologies IPU80R1K4CEBKMA1 electronic components. IPU80R1K4CEBKMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPU80R1K4CEBKMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IPU80R1K4CEBKMA1 პროდუქტის ატრიბუტები

    Ნაწილი ნომერი : IPU80R1K4CEBKMA1
    მწარმოებელი : Infineon Technologies
    აღწერა : MOSFET N-CH 800V 3.9A TO251-3
    სერიები : CoolMOS™
    ნაწილის სტატუსი : Discontinued at Digi-Key
    FET ტიპი : N-Channel
    ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
    გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 800V
    მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 3.9A (Tc)
    წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.4 Ohm @ 2.3A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 3.9V @ 240µA
    კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 23nC @ 10V
    Vgs (მაქს) : ±20V
    შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 570pF @ 100V
    FET თვისება : -
    დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 63W (Tc)
    ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
    სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
    მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : PG-TO251-3
    პაკეტი / საქმე : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

    თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
    • BS170PSTOB

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 60V 0.27A TO92-3.

    • DN2540N3-G

      Microchip Technology

      MOSFET N-CH 400V 0.12A TO92-3.

    • GP2M008A060CG

      Global Power Technologies Group

      MOSFET N-CH 600V 7.5A DPAK.

    • AUIRFR540Z

      Infineon Technologies

      MOSFET N CH 100V 35A DPAK.

    • GP2M004A065CG

      Global Power Technologies Group

      MOSFET N-CH 650V 4A DPAK.

    • GP2M004A060CG

      Global Power Technologies Group

      MOSFET N-CH 600V 4A DPAK.