ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS42S81600F-6TLI

KEY Part #: K941143

IS42S81600F-6TLI ფასები (აშშ დოლარი) [34534ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$1.58758
  • 324 pcs$1.57968

Ნაწილი ნომერი:
IS42S81600F-6TLI
მწარმოებელი:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Დეტალური აღწერა:
IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP. DRAM 128M 16Mx8 166Mhz SDR SDRAM, 3.3V
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ინტერფეისი - ხმის ჩანაწერი და დაკვრა, PMIC - ელექტრომომარაგების კონტროლერები, მონიტორები, მონაცემთა შეძენა - ციფრული პოტენომეტრები, ლოგიკა - ბუფერები, მძღოლები, მიმღები, გადამცემები, საათი / დრო - პროგრამირებადი ქრონომეტრები და ოსცილ, მეხსიერება - კონტროლერები, PMIC - ბატარეის დამტენები and საათი / დრო - განაცხადის სპეციფიკური ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S81600F-6TLI electronic components. IS42S81600F-6TLI can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IS42S81600F-6TLI, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IS42S81600F-6TLI პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : IS42S81600F-6TLI
მწარმოებელი : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
აღწერა : IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
მეხსიერების ტიპი : Volatile
მეხსიერების ფორმატი : DRAM
ტექნოლოგია : SDRAM
მეხსიერების ზომა : 128Mb (16M x 8)
საათის სიხშირე : 166MHz
დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი : -
წვდომის დრო : 5.4ns
მეხსიერების ინტერფეისი : Parallel
ძაბვა - მიწოდება : 3V ~ 3.6V
ოპერაციული ტემპერატურა : -40°C ~ 85°C (TA)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : 54-TSOP II

Უახლესი ცნობები

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • NDS73PT9-16ET

    Insignis Technology Corporation

    IC SDRAM 128MBIT 166MHZ 86TSOP.

  • W25Q256JVEIQ

    Winbond Electronics

    IC FLASH 256M SPI 133MHZ 8WSON. NOR Flash spiFlash, 3V, 256M-bit, 4Kb Uniform Sector

  • W25Q256JVEIM

    Winbond Electronics

    IC FLASH 256M SPI 133MHZ 8WSON. NOR Flash spiFlash, 3V, 256M-bit, 4Kb Uniform Sector, DTR

  • 25LC1024T-E/MF

    Microchip Technology

    IC EEPROM 1M SPI 20MHZ 8DFN. EEPROM 128K x 8 - 2.5-5.5V

  • 25AA1024T-I/MF

    Microchip Technology

    IC EEPROM 1M SPI 20MHZ 8DFN. EEPROM 128kx8 - 1.8V

  • 25LC1024T-I/MF

    Microchip Technology

    IC EEPROM 1M SPI 20MHZ 8DFN. EEPROM 128K x 8 - 2.5-5.5V