IXYS - IXFN32N120P

KEY Part #: K6394837

IXFN32N120P ფასები (აშშ დოლარი) [1806ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$25.30626
  • 10 pcs$25.18035

Ნაწილი ნომერი:
IXFN32N120P
მწარმოებელი:
IXYS
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 1200V 32A SOT-227B.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - JFET, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი and ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in IXYS IXFN32N120P electronic components. IXFN32N120P can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFN32N120P, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFN32N120P პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : IXFN32N120P
მწარმოებელი : IXYS
აღწერა : MOSFET N-CH 1200V 32A SOT-227B
სერიები : Polar™
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 1200V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 32A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 310 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 6.5V @ 1mA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 360nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±30V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 21000pF @ 25V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 1000W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Chassis Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : SOT-227B
პაკეტი / საქმე : SOT-227-4, miniBLOC

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ