Ნაწილი ნომერი :
IPB065N15N3GE8187ATMA1
მწარმოებელი :
Infineon Technologies
აღწერა :
MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7
ნაწილის სტატუსი :
Obsolete
ტექნოლოგია :
MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
150V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
130A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) :
8V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
6.5 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 270µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
93nC @ 10V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
7300pF @ 75V
დენის დაშლა (მაქსიმალური) :
300W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა :
-55°C ~ 175°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
PG-TO263-7
პაკეტი / საქმე :
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB