IDW30E65D1FKSA1 ფასები (აშშ დოლარი) [33046ცალი საფონდო]
- 1 pcs$0.76930
- 10 pcs$0.68945
- 100 pcs$0.55432
- 500 pcs$0.45543
- 1,000 pcs$0.37735
- Ნაწილი ნომერი:
- IDW30E65D1FKSA1
- მწარმოებელი:
- Infineon Technologies
- Დეტალური აღწერა:
- DIODE GEN PURP 650V 60A TO247-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching IGBT PRODUCTS
- Manufacturer's standard lead time:
- Საწყობში
- შენახვის ვადა:
- Ერთი წელი
- ჩიპი From:
- ჰონგ კონგი
- RoHS:
- Გადახდის საშუალება:
-
- გადაზიდვის გზა:
- ოჯახის კატეგორიები:
- KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების, Thististors - DIACs, SIDACs, დენის მართვის მოდული, ტირისტორები - TRIACs, დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, დიოდები - RF and ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას ...
- Კონკურენტული უპირატესობა:
- We specialize in Infineon Technologies IDW30E65D1FKSA1 electronic components. IDW30E65D1FKSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IDW30E65D1FKSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IDW30E65D1FKSA1 პროდუქტის ატრიბუტები
Ნაწილი ნომერი :
IDW30E65D1FKSA1
მწარმოებელი :
Infineon Technologies
აღწერა :
DIODE GEN PURP 650V 60A TO247-3
სერიები :
-
ნაწილის სტატუსი :
Active
დიოდის ტიპი :
Standard
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) :
650V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) :
60A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ :
1.7V @ 30A
სიჩქარე :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) :
115ns
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr :
40µA @ 650V
Capacitance @ Vr, F :
-
სამონტაჟო ტიპი :
Through Hole
პაკეტი / საქმე :
TO-247-3
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
TO-247-3
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება :
-40°C ~ 175°C
Უახლესი ცნობები
თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
-
SE10FDHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 1A DO219AB. Rectifiers 1A 200V ESD Prot SMF Rectifier
-
SE10FG-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 400V 1A DO219AB. Rectifiers 1A 400V ESD Prot SMF Rectifier
-
SE10FGHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 400V 1A DO219AB. Rectifiers 1A 400V ESD Prot SMF Rectifier
-
SE10FJHM3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 1A DO219AB. Rectifiers 1A 600V SMF Rectifier
-
SE10FD-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 1A DO219AB. Rectifiers 1A 200V ESD Prot SMF Rectifier
-
SE10FDHM3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 1A DO219AB. Rectifiers 1A 200V ESD Prot SMF Rectifier
ცხელი ნაწილები
- APT10SCE120B
- MBR3100VP-G1
- FR206TA
- CMR3U-04 BK
- CMR3U-01 BK
- VS-18TQ035SPBF
- BAY80-TAP
- SS3H10HE3_A/H
- VS-6TQ035STRRPBF
- BAS1602WH6327XTSA1
- APT20SCD120B
- MBRF750HE3/45
- STPS30SM60D
- S5JHE3/9AT
- 1N3743G R G
- SR304-T-F
- GPP60D-E3/54
- 20ETF12FP
- DGP30HE3/54
- S3520
- MX1H5615
- MA3X028TAL
- USD245
- D6025L
- RK 14V1
- STTH8L06DIRG
- 1N5293UR-1
- 1N4002RL
- 20ETF02STRR
- UF4007 TR
- BY329-1200,127
- S1G-F
- 1F1-TP
- UF5406-AP
- 1N649UR-1
- FESF16HTHE3/45
- FES8AT-E3/45
- RP 3FV4
- RFN5BM2SFHTL
- BAS283-GS18
选择你的位置