Microsemi Corporation - APT100GT60JR

KEY Part #: K6532753

APT100GT60JR ფასები (აშშ დოლარი) [4345ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$11.73076
  • 10 pcs$10.84956
  • 25 pcs$9.96966
  • 100 pcs$9.26600
  • 250 pcs$8.50359
  • 500 pcs$7.69829

Ნაწილი ნომერი:
APT100GT60JR
მწარმოებელი:
Microsemi Corporation
Დეტალური აღწერა:
IGBT 600V 148A 500W SOT227.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: Thististors - DIACs, SIDACs, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, დიოდები - ზენერი - მასივები, დიოდები - RF, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, Thististors - SCRs - მოდულები and ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Microsemi Corporation APT100GT60JR electronic components. APT100GT60JR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APT100GT60JR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT100GT60JR პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : APT100GT60JR
მწარმოებელი : Microsemi Corporation
აღწერა : IGBT 600V 148A 500W SOT227
სერიები : Thunderbolt IGBT®
ნაწილის სტატუსი : Active
IGBT ტიპი : NPT
კონფიგურაცია : Single
ვოლტაჟი - კოლექციონერის გამანაწილებელი ავარია (მაქსიმალური) : 600V
მიმდინარე - კოლექციონერი (Ic) (მაქსიმალური) : 148A
ძალა - მაქსიმუმი : 500W
Vce (ჩართულია) (Max) @ Vge, Ic : 2.5V @ 15V, 100A
მიმდინარე - კოლექციონერის შეწყვეტა (მაქსიმალური) : 25µA
შეყვანის სიმძლავრე (ცდის) @ Vce : 5.15nF @ 25V
შეყვანა : Standard
NTC თერმოსტორი : No
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Chassis Mount
პაკეტი / საქმე : ISOTOP
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : ISOTOP®

Უახლესი ცნობები

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • VS-GB90SA120U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    TRANSISTOR INSLTED GATE BIPOLAR.

  • VS-GB90DA60U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    TRANSISTOR INSLTED GATE BIPOLAR.

  • CPV362M4K

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 31 IMS-2.

  • CPV362M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 3.9A IMS-2.

  • CPV363M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 6.8A IMS-2.

  • VS-GB75NA60UF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 600V 70A HS CHOPPER SOT-227. Rectifiers Output & SW Modules SOT-227 IGBT