ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS46R16320E-6BLA2

KEY Part #: K929440

IS46R16320E-6BLA2 ფასები (აშშ დოლარი) [10833ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$4.22984

Ნაწილი ნომერი:
IS46R16320E-6BLA2
მწარმოებელი:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Დეტალური აღწერა:
IC DRAM 512M PARALLEL 166MHZ. DRAM Automotive (-40 to +105C), 512M, 2.5V, DDR1, 32Mx16, 166MHz, 60 ball FBGA RoHS
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: საათი / დრო - IC ბატარეები, PMIC - კარიბჭის მძღოლები, PMIC - V / F და F / V გადამყვანი, ინტერფეისი - შიფრატორები, დეკოდიერები, გადამყვანი, ლოგიკა - კარიბჭე და ინვერტორები - მრავალფუნქციური,, ინტერფეისი - სენსორისა და დეტექტორის ინტერფეისი, PMIC - AC DC გადამყვანი, ოფლაინ გადამრთველები and ინტერფეისი - ფილტრები - აქტიური ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46R16320E-6BLA2 electronic components. IS46R16320E-6BLA2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IS46R16320E-6BLA2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IS46R16320E-6BLA2 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : IS46R16320E-6BLA2
მწარმოებელი : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
აღწერა : IC DRAM 512M PARALLEL 166MHZ
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
მეხსიერების ტიპი : Volatile
მეხსიერების ფორმატი : DRAM
ტექნოლოგია : SDRAM - DDR
მეხსიერების ზომა : 512Mb (32M x 16)
საათის სიხშირე : 166MHz
დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი : 15ns
წვდომის დრო : 700ps
მეხსიერების ინტერფეისი : Parallel
ძაბვა - მიწოდება : 2.3V ~ 2.7V
ოპერაციული ტემპერატურა : -40°C ~ 105°C (TA)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : 60-TFBGA
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : 60-TFBGA (13x8)

Უახლესი ცნობები

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • TH58NYG3S0HBAI4

    Toshiba Memory America, Inc.

    8GB SLC NAND 24NM BGA 9X11 3.3V. NAND Flash 1.8V 8Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)

  • M93S56-WMN6T

    STMicroelectronics

    IC EEPROM 2K SPI 2MHZ 8SO.

  • M95020-RMB6TG

    STMicroelectronics

    IC EEPROM 2K SPI 20MHZ 8UFDFPN.

  • S29GL01GT10FAI030

    Cypress Semiconductor Corp

    IC NOR. NOR Flash Nor

  • IDT71V416VL15PHI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II.

  • IDT71V416VL15PH8

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II.